5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.83 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1000 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 110 A | 最大漏源导通电阻： | 0.015 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 250 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXFV110N10P | IXYS |
类似代替  |
PolarHT HiPerFET Power MOSFET |
|
| IXFH110N10P | IXYS |
功能相似 |
PolarHT HiPerFET Power MOSFET |
|
| IXTQ110N10P | IXYS |
功能相似 |
N-Channel Enhancement Mode |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFV110N25T | IXYS |
获取价格 |
Trench Gate Power HiperFET |
|
| IXFV110N25TS | IXYS |
获取价格 |
Trench Gate Power HiperFET |
|
| IXFV12N100P | IXYS |
获取价格 |
Polar HiPerFET Power MOSFETs |
|
| IXFV12N100PS | IXYS |
获取价格 |
Polar HiPerFET Power MOSFETs |
|
| IXFV12N120P | IXYS |
获取价格 |
Polar Power MOSFET HiPerFET |
|
| IXFV12N120PS | IXYS |
获取价格 |
Polar Power MOSFET HiPerFET |
|
| IXFV12N80P | IXYS |
获取价格 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
|
| IXFV12N80PS | IXYS |
获取价格 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
|
| IXFV12N90P | IXYS |
获取价格 |
Polar Power MOSFET HiPerFET |
|
| IXFV12N90PS | IXYS |
获取价格 |
Polar Power MOSFET HiPerFET |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
