Datasheet > IXTQ110N10P

IXTQ110N10P

更新时间： 2024-01-22 01:38:49

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
5页	580K
描述
N-Channel Enhancement Mode

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTQ110N10P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	TO-3P, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.8	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	110 A	最大漏源导通电阻：	0.015 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	250 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

IXTQ110N10P 数据手册

Advance Technical Information

IXTQ 110N10P

IXTT 110N10P

V_DSS= 100

I_D25= 110

R_DS(on)= 15 mΩ

PolarHT^TM

Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

TO-3P(IXTQ)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

= 25°C to 175°C

100

T^J_J= 25°C to 175°C; R_GS= 1 MΩ

V_GSM

I_D25

I_D(RMS)

I_DM

= 25°C

110

250

E^Cxternal lead current limit

(TAB)

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

I_AR

T_C= 25°C

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

TO-268 (IXTT)

1.0

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 4 Ω

V/ns

D (TAB)

P_D

T_C= 25°C

480

G = Gate

D = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C

S = Source

TAB = Drain

-55 ... +150

Features

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

M_d

Mounting torque

(TO-3P)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-3P

TO-268

5.5

5.0

Advantages

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

Easy to mount

Space savings

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

100

High power density

2.5

5.0

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

µA

T_J= 150°C

PolarHT^TMDMOStransistors

utilize proprietary designs and

process. US patent is pending.

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

15 mΩ

DS99132(05/04)

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

IXTQ110N10P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFV110N10P	IXYS	类似代替	PolarHT HiPerFET Power MOSFET
IXTT110N10P	IXYS	类似代替	N-Channel Enhancement Mode
IXFH110N10P	IXYS	功能相似	PolarHT HiPerFET Power MOSFET

与IXTQ110N10P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTQ120N15P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 150V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTQ120N15P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 150V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTQ120N20P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 200V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTQ120N20P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 200V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTQ130N10T	IXYS	获取价格	TrenchMVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTQ130N10T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTQ130N15T	IXYS	获取价格	MOSFET N-CH 150V 130A TO-3P
IXTQ130N15T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTQ130N20T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTQ140N10P	IXYS	获取价格	PolarHT⑩ Power MOSFET

与IXTQ110N10P相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

0
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

1
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

1
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

1

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTQ110N10P

IXTQ110N10P 技术参数

IXTQ110N10P 数据手册

IXTQ110N10P 替代型号

与IXTQ110N10P相关器件

与IXTQ110N10P相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTQ110N10P

IXTQ110N10P 技术参数

IXTQ110N10P 数据手册

IXTQ110N10P 替代型号

与IXTQ110N10P相关器件

与IXTQ110N10P相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？