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IXTQ130N10T

更新时间: 2024-11-19 14:56:23
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力特 - LITTELFUSE
页数 文件大小 规格书
6页 168K
描述
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围(从-40 °C到175 °C),这些产品非常适合汽车应用以及其他处

IXTQ130N10T 技术参数

生命周期:Active包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.74
Base Number Matches:1

IXTQ130N10T 数据手册

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TrenchMVTM  
Power MOSFET  
VDSS = 100V  
ID25 = 130A  
RDS(on) 9.1mΩ  
IXTH130N10T  
IXTQ130N10T  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-247 (IXTH)  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
G
TJ = 25°C to 175°C  
TJ = 25°C to 175°C, RGS = 1MΩ  
100  
100  
V
V
D
(TAB)  
S
VDGR  
VGSM  
Transient  
± 20  
V
TO-3P (IXTQ)  
ID25  
ILRMS  
IDM  
TC = 25°C  
Lead Current Limit, RMS  
TC = 25°C, pulse width limited by TJM  
130  
75  
A
A
A
300  
IA  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
65  
500  
360  
A
mJ  
W
G
D
EAS  
PD  
S
(TAB)  
G = Gate  
D
TAB  
=
=
Drain  
Drain  
TJ  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
S = Source  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
Features  
TL  
1.6mm (0.062in.) from case for 10s  
Plastic body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
z Ultra-low On Resistance  
z UnclampedInductiveSwitching(UIS)  
rated  
z Lowpackageinductance  
- easy to drive and to protect  
z 175°COperatingTemperature  
Md  
Mountingtorque(TO-247)(TO-3P)  
1.13 / 10  
Nm/lb.in.  
Weight  
TO-247  
TO-3P  
6.0  
5.5  
g
g
Advantages  
z
Easy to mount  
Space savings  
Highpowerdensity  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
z
(TJ = 25°C unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
z
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250μA  
VDS = VGS, ID = 250μA  
VGS = ± 20V, VDS = 0V  
100  
2.5  
V
V
Applications  
4.5  
z
Automotive  
±200 nA  
μA  
- MotorDrives  
- High Side Switch  
- 12VBattery  
IDSS  
VDS = VDSS  
VGS = 0V  
5
TJ = 150°C  
250 μA  
9.1 mΩ  
- ABS Systems  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 25A, Notes 1, 2  
z
DC/DC Converters and Off-line UPS  
Primary- Side Switch  
HighCurrentSwitching  
z
z
Applications  
DS99708A(07/08)  
© 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved  

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