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IXTQ130N10T

更新时间： 2024-03-25 22:01:51

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅
页数	文件大小	规格书
6页	168K
描述
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处

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IXTQ130N10T 数据手册

TrenchMV^TM

Power MOSFET

V_DSS= 100V

I_D25= 130A

R_DS(on)≤ 9.1mΩ

IXTH130N10T

IXTQ130N10T

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-247 (IXTH)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

100

(TAB)

V_DGR

V_GSM

Transient

± 20

TO-3P (IXTQ)

I_D25

I_LRMS

I_DM

T_C= 25°C

Lead Current Limit, RMS

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

130

300

I_A

T_C= 25°C

500

360

E_AS

P_D

(TAB)

G = Gate

TAB

Drain

T_J

-55 ... +175

175

°C

S = Source

T_JM

T_stg

-55 ... +175

Features

T_L

1.6mm (0.062in.) from case for 10s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

^zUltra-low On Resistance

^zUnclampedInductiveSwitching(UIS)

rated

^zLowpackageinductance

- easy to drive and to protect

^z175°COperatingTemperature

M_d

Mountingtorque(TO-247)(TO-3P)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Weight

TO-247

TO-3P

6.0

5.5

Advantages

Easy to mount

Space savings

Highpowerdensity

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

100

2.5

Applications

4.5

Automotive

±200 nA

μA

- MotorDrives

- High Side Switch

- 12VBattery

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

T_J= 150°C

250 μA

9.1 mΩ

- ABS Systems

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 25A, Notes 1, 2

DC/DC Converters and Off-line UPS

Primary- Side Switch

HighCurrentSwitching

Applications

DS99708A(07/08)

12 3 4 5 6

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