IXTQ150N15P

更新时间： 2024-11-05 12:27:43

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描述
PolarHTTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode

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IXTQ150N15P 数据手册

PolarHT^TM

Power MOSFET

IXTK 150N15P

IXTQ 150N15P

V_DSS= 150 V

I_D25= 150 A

R_DS(on)≤ 13 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-264 (IXTK)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 175° C

150

T_J= 25° C to 175° C; R_GS= 1 MΩ

D (TAB)

V_GS

Continuous

Transient

V_GSM

I_D25

T_C=25° C

150

TO-3P (IXTQ)

I_D(RMS)

I_DM

External lead current limit

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

340

I_AR

T_C=25° C

E_AR

E_AS

T_C=25° C

(TAB)

2.5

dv/dt

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤175° C, R_G= 4 Ω

V/ns

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

P_D

T_C=25° C

714

T_J

-55 ... +175

175

°C

T_JM

T_stg

Features

-55 ... +175

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

M_d

Mounting torque

TO-3P

TO-264

Test Conditions

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

5.5

Symbol

Characteristic Values

Advantages

(T_J= 25° C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Easy to mount

Space savings

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

150

3.0

5.0

High power density

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

500

µA

T_J= 175° C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

13 mΩ

Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99299E(03/06)

12 3 4 5

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IXTQ150N15P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTK150N15P	IXYS	完全替代	PolarHTTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXFH150N15P	IXYS	完全替代	PolarHT⑩ HiPerFET Power MOSFET
IXFK150N15	IXYS	功能相似	HiPerFET Power MOSFETs

与IXTQ150N15P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTQ152N085T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 152A I(D), 85V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTQ160N075T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低
IXTQ160N10T	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET
IXTQ160N10T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTQ16N50P	IXYS	获取价格	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTQ16N50P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ170N10P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 170A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTQ170N10P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 170A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTQ180N055T	IXYS	获取价格	Trench Gate Power MOSFET
IXTQ180N085T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 85V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M

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