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IXFH150N15P

更新时间： 2024-11-18 04:22:47

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描述
PolarHT⑩ HiPerFET Power MOSFET

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IXFH150N15P 数据手册

Advance Technical Information

PolarHT^TM

IXFH 150N15P

V_DSS= 150 V

IXFK 150N15P

HiPerFET

I_D25= 150 A

Power MOSFET

R_DS(on)≤ 13 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

TO-247(IXFH)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 175°C

150

T_J= 25°C to 175°C; R_GS= 1 MΩ

(TAB)

V_GS

Continuous

Transient

V_GSM

TO-264(SP) (IXTK)

I_D25

T_C= 25°C

150

I_D(RMS)

I_DM

External lead current limit

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

340

I_AR

T_C= 25°C

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

D (TAB)

2.5

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 175°C, R_G= 4 Ω

V/ns

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

P_D

T_C= 25°C

714

T_J

-55 ... +175

175

°C

T_JM

T_stg

Features

-55 ... +175

^zInternational standard packages

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Mounting torque

300

°C

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-3P

TO-264

5.5

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

Advantages

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Easy to mount

Space savings

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

150

3.0

5.0

High power density

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

500

µA

T_J= 175°C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

13 mΩ

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99328(02/05)

12 3 4 5

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IXFH150N15P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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