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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-247AD | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 8.54 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 1500 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 150 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 150 A | 最大漏源导通电阻： | 0.015 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-247AD |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 890 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 375 A | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXFT150N20T | IXYS |
完全替代  |
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFH150N25X3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘 |
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| IXFH150N30X3 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFH15N100 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFH15N100P | IXYS |
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Polar Power MOSFET HiPerFET |
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| IXFH15N100P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFH15N100Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
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| IXFH15N100Q | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFH15N100Q3 | IXYS |
获取价格 |
HiperFETTM Power MOSFETs Q3-Class |
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| IXFH15N100Q3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和 |
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| IXFH15N60 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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