5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.82 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 15 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFH15N80 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs |
|
| IXFH15N80 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
|
| IXFH15N80Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
|
| IXFH15N80Q | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
|
| IXFH160N15T | IXYS |
获取价格 |
Power MOSFET TrenchHV HiPerFET |
|
| IXFH160N15T | LITTELFUSE |
获取价格 |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
|
| IXFH160N15T2 | IXYS |
获取价格 |
TrenchT2 HiperFET Power MOSFET |
|
| IXFH160N15T2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能 |
|
| IXFH16N120P | IXYS |
获取价格 |
Polar Power MOSFET HiPerFET |
|
| IXFH16N120P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
