IXFH16N90

更新时间： 2024-09-14 22:45:43

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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HiPerFET Power MOSFETs

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IXFH16N90 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.81
Is Samacsys：	N	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	900 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	16 A	最大漏极电流 (ID)：	16 A
最大漏源导通电阻：	0.65 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	360 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	64 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFH16N90 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

IXFH16N90

IXFX16N90

V_DSS= 900 V

I_D25

= 16 A

R_DS(

= 0.65 W

)

N-Channel Enhancement Mode

High dv/dt, Low t_rr, HDMOS^TMFamily

t_rr£ 200 ns

Preliminarydata

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247AD

(IXFH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

900

(TAB)

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

PLUS247^TM

(IXFX)

E_AR

T_C= 25°C

C (TAB)

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

V/ns

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

P_D

T_J

T_C= 25°C

360

-55 ... +150

°C

Features

T_JM

T_stg

150

-55 ... +150

°C

International standard packages

Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

Rugged polysilicon gate cell structure

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Fast intrinsic Rectifier

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Mounting torque

300

°C

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

Applications

DC-DC converters

Battery chargers

Switched-mode and resonant-mode

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

power supplies

DC choppers

AC motor control

Temperature and lighting controls

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250µA

900

2.0

V_GS(th)

V_DS= V_GS, I_D= 5 mA

4.5

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100 nA

Advantages

V_DS= 0.8 V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

25 µA

250 µA

Easy to mount with 1 screw (TO-247)

(isolated mounting screw hole) or

mounting clip or spring (PLUS 247^TM)

Space savings

High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

0.65

Ω

97547(2/98)

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