IXFH16N90Q

更新时间： 2024-11-04 22:47:59

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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2页	75K
描述
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

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IXFH16N90Q 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.81
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	900 V
最大漏极电流 (ID)：	16 A	最大漏源导通电阻：	0.65 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	64 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFH16N90Q 数据手册

Advanced Technical Information

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Q-Class

IXFH 16N90Q

IXFK 16N90Q

IXFT 16N90Q

V_DSS

I_D25

= 900 V

16 A

R_DS(on)= 0.65 W

t_rr£ 250 ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, Low Q_g, High dv/dt

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247AD(IXFH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

900

(TAB)

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

TO-268 (D3) ( IXFT)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

1.5

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

TO-264AA(IXFK)

P_D

T_C= 25°C

360

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

D (TAB)

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

Mountingtorque

300

°C

G = Gate

M_d

TO-247

TO-264

1.13/10 Nm/lb.in.

0.9/6 Nm/lb.in.

S = Source

TAB = Drain

Weight

Symbol

TO-247

TO-268

TO-264

Features

• IXYS advanced low Q_gprocess

• Internationalstandardpackages

• EpoxymeetUL94V-0,flammability

classification

• Low R_{DS (on)}low Q_g

• Avalanche energy and current rated

• Fast intrinsic rectifier

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 mA

900

3.0

V_GS(th)

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

5.0

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±200 nA

50 mA

Advantages

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %

0.65

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98668(11/99)

1 - 2

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IXFH16N90Q 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FDH44N50	ONSEMI	功能相似	功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，500 V，44 A，120 mΩ，TO-

与IXFH16N90Q相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFH170N10P	IXYS	获取价格	Polar HiperFET Power MOSFET
IXFH170N10P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFH170N15X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFH17N60	IXYS	获取价格	HIPERFET Power MOSFTETs
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