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IXFH17N80Q

更新时间： 2024-11-05 11:13:59

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描述
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

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IXFH17N80Q 数据手册

HiPerFET^TM

PowerMOSFETs

Q-Class

IXFH 17N80Q V_DSS

IXFT 17N80Q I_D25

= 800 V

17 A

= 0.60 Ω

R_DS(on)

t_rr≤ 250 ns

N-ChannelEnhancementMode

AvalancheRated, Highdv/dt, LowQ_g

Preliminary Data Sheet

TO-268 (D3) (IXFT) Case Style

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

= 25°C to 150°C

800

T^J_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

(TAB)

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

TO-247AD(IXFH)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

1.0

(TAB)

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

P_D

T_C= 25°C

400

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Mounting torque

300

°C

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

Features

Weight

TO-247

TO-268

IXYS advanced low Q_gprocess

International standard packages

Low R_{DS (on)}

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Fast switching

Molding epoxies meet UL 94 V-0

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 3 mA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

800

flammability classification

2.0

4.5

100 nA

Advantages

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

25 µA

Easy to mount

Space savings

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

0.60

Ω

High power density

DS99058A(06/03)

12 3 4

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