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IXFH18N100Q3

更新时间: 2024-11-20 11:13:59
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IXYS /
页数 文件大小 规格书
5页 130K
描述
HiperFETTM Power MOSFETs Q3-Class

IXFH18N100Q3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:TO-247包装说明:PLASTIC PACKAGE-3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:4.45
Samacsys Description:IXYS IXFH18N100Q3 N-channel MOSFET Transistor, 18 A, 1000 V, 3-Pin TO-247其他特性:AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas):1500 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):18 A最大漏极电流 (ID):18 A
最大漏源导通电阻:0.66 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-247JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):830 W最大脉冲漏极电流 (IDM):60 A
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IXFH18N100Q3 数据手册

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Advance Technical Information  
HiperFETTM  
Power MOSFETs  
Q3-Class  
VDSS = 1000V  
ID25 = 18A  
RDS(on) 660mΩ  
IXFT18N100Q3  
IXFH18N100Q3  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-268 (IXFT)  
Fast Intrinsic Rectifier  
G
S
D (Tab)  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C, RGS = 1MΩ  
1000  
1000  
V
V
TO-247 (IXFH)  
VDGR  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
± 30  
± 40  
V
V
ID25  
IDM  
TC = 25°C  
18  
60  
A
A
G
TC = 25°C, Pulse Width Limited by TJM  
D
D (Tab)  
S
IA  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
18  
A
J
EAS  
1.5  
G = Gate  
D
= Drain  
S = Source  
Tab = Drain  
dv/dt  
PD  
IS IDM, VDD VDSS, TJ 150°C  
TC = 25°C  
50  
V/ns  
W
830  
TJ  
-55 ... +150  
150  
°C  
°C  
°C  
TJM  
Tstg  
Features  
-55 ... +150  
z
Low Intrinsic Gate Resistance  
International Standard Packages  
Low Package Inductance  
Fast Intrinsic Rectifier  
TL  
Tsold  
1.6mm (0.062in.) from Case for 10s  
Plastic Body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
z
z
z
z
Md  
Mounting Torque (TO-247)  
1.13 / 10  
Nm/lb.in.  
Low RDS(on) and QG  
Weight  
TO-268  
TO-247  
4.0  
6.0  
g
g
Advantages  
z
High Power Density  
Easy to Mount  
Space Savings  
z
z
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C Unless Otherwise Specified)  
Min.  
1000  
3.5  
Typ.  
Max.  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 1mA  
VDS = VGS, ID = 4mA  
VGS = ±30V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
V
V
Applications  
6.5  
z
DC-DC Converters  
Battery Chargers  
Switch-Mode and Resonant-Mode  
z
±100 nA  
z
IDSS  
25 μA  
Power Supplies  
DC Choppers  
Temperature and Lighting Controls  
TJ = 125°C  
1.25 mA  
z
z
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 0.5 • ID25, Note 1  
660 mΩ  
DS100390(10/11)  
© 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  

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