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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-247 | 包装说明： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 4.45 |
| Samacsys Description： | IXYS IXFH18N100Q3 N-channel MOSFET Transistor, 18 A, 1000 V, 3-Pin TO-247 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1500 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 1000 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 18 A | 最大漏极电流 (ID)： | 18 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.66 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-247 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 830 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 60 A |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXFT18N100Q3 | IXYS |
完全替代  |
HiperFETTM Power MOSFETs Q3-Class |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFH18N50 | IXYS |
获取价格 |
HIPERFET Power MOSFTETs |
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| IXFH18N60P | IXYS |
获取价格 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFH18N60P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFH18N60X | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFH18N60X | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFH18N65 | IXYS |
获取价格 |
HIPERFET Power MOSFTETs |
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| IXFH18N65X2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的 |
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| IXFH18N90P | IXYS |
获取价格 |
Polar Power MOSFET HiPerFET |
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| IXFH18N90P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFH19N50 | IXYS |
获取价格 |
HIPERFET Power MOSFTETs |
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