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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.78 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 18 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFH18N65X2 | LITTELFUSE |
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这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的 |
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| IXFH18N90P | IXYS |
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Polar Power MOSFET HiPerFET |
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| IXFH18N90P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFH19N50 | IXYS |
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HIPERFET Power MOSFTETs |
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| IXFH20N100P | IXYS |
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Polar Power MOSFET HiPerFET |
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| IXFH20N100P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFH20N50P3 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFH20N50P3 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IXFH20N60 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFH20N60 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: |
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