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IXFH18N60P

更新时间： 2024-11-06 14:56:51

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力特 - LITTELFUSE		/
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IXFH18N60P 数据手册

PolarHV^TMHiPerFET

Power MOSFET

IXFH 18N60P

IXFV 18N60P

IXFV 18N60PS

V_DSS= 600 V

I_D25= 18

R_DS(on)≤ 400 mΩ

≤ 200 ns

N-Channel Enhancement Mode

Fast Intrinsic Diode

t_rr

Avalanche Rated

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-247 AD (IXFH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

600

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

Continuous

Tranisent

V_GSM

D (TAB)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

PLUS220 (IXFV)

I_AR

T_C= 25°C

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

1.0

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/μs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 5 Ω

V/ns

D (TAB)

T_C= 25°C

360

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

PLUS220SMD (IXFV...S)

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

M_d

Mounting torque

TO-247

(TO-247)

1.13/10 Nm/lb.in.

D (TAB)

Weight

PLUS220 & PLUS220SMD

G = Gate

D = Drain

S = Source

TAB = Drain

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Features

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 μA

V_DS= V_GS, I_D= 2.5 mA

V_GS= 30 V, V_DS= 0 V

600

3.0

5.5

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

μA

T_J= 125°C

Advantages

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤ 300 μs, duty cycle d ≤ 2 %

400 mΩ

Easy to mount

Space savings

High power density

DS99390E(03/06)

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