是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.82 | 配置: | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 17 A | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-609代码: | e0 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 250 W | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFH17N65 | IXYS |
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HIPERFET Power MOSFTETs | |
IXFH17N80Q | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Q-Class | |
IXFH180N20X3 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFH18N100Q3 | IXYS |
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HiperFETTM Power MOSFETs Q3-Class | |
IXFH18N100Q3 | LITTELFUSE |
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Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和 | |
IXFH18N50 | IXYS |
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HIPERFET Power MOSFTETs | |
IXFH18N60P | IXYS |
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PolarHV HiPerFET Power MOSFET | |
IXFH18N60P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFH18N60X | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFH18N60X | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, |