5秒后页面跳转
IXFH17N60 PDF预览

IXFH17N60

更新时间: 2024-11-04 22:46:15
品牌 Logo 应用领域
IXYS /
页数 文件大小 规格书
8页 296K
描述
HIPERFET Power MOSFTETs

IXFH17N60 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.82配置:Single
最大漏极电流 (Abs) (ID):17 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码:e0工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):250 W子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches:1

IXFH17N60 数据手册

 浏览型号IXFH17N60的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXFH17N60的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXFH17N60的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXFH17N60的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IXFH17N60的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IXFH17N60的Datasheet PDF文件第7页 

与IXFH17N60相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXFH17N65 IXYS

获取价格

HIPERFET Power MOSFTETs
IXFH17N80Q IXYS

获取价格

HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFH180N20X3 LITTELFUSE

获取价格

Power Field-Effect Transistor,
IXFH18N100Q3 IXYS

获取价格

HiperFETTM Power MOSFETs Q3-Class
IXFH18N100Q3 LITTELFUSE

获取价格

Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和
IXFH18N50 IXYS

获取价格

HIPERFET Power MOSFTETs
IXFH18N60P IXYS

获取价格

PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFH18N60P LITTELFUSE

获取价格

功能与特色: 优点: 应用:
IXFH18N60X LITTELFUSE

获取价格

Power Field-Effect Transistor,
IXFH18N60X IXYS

获取价格

Power Field-Effect Transistor,