是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | TO-247AD | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 4.3 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 2000 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 100 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 170 A | 最大漏极电流 (ID): | 170 A |
最大漏源导通电阻: | 0.009 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-247AD | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 715 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 350 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IXFK170N10P | IXYS |
完全替代 |
Polar HiperFET Power MOSFET | |
IXTQ170N10P | IXYS |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 170A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IXTT170N10P | IXYS |
功能相似 |
PolarTM Power MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFH170N15X3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发,可提供出类拔萃的质量因数(导通电阻乘 | |
IXFH17N60 | IXYS |
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HIPERFET Power MOSFTETs | |
IXFH17N65 | IXYS |
获取价格 |
HIPERFET Power MOSFTETs | |
IXFH17N80Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class | |
IXFH180N20X3 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFH18N100Q3 | IXYS |
获取价格 |
HiperFETTM Power MOSFETs Q3-Class | |
IXFH18N100Q3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和 | |
IXFH18N50 | IXYS |
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HIPERFET Power MOSFTETs | |
IXFH18N60P | IXYS |
获取价格 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET | |
IXFH18N60P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |