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IXFK170N10P

更新时间： 2024-11-05 11:14:03

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5页	140K
描述
Polar HiperFET Power MOSFET

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IXFK170N10P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-264AA	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	8.35
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	2000 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	170 A
最大漏极电流 (ID)：	170 A	最大漏源导通电阻：	0.009 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-264AA
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	715 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	350 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFK170N10P 数据手册

Polar^TMHiperFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 100V

I_D25= 170A

R_DS(on)≤ 9mΩ

≤ 150ns

IXFH170N10P

IXFK170N10P

t_rr

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Rectifier

TO-247 (IXFH)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

Tab

T_J= 25°C to 175°C

100

V_DGR

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 20

± 30

TO-264 (IXFK)

I_D25

I_L(RMS)

T_C= 25°C

External Lead Current Limit

170

160

I_DM

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

350

I_A

T_C= 25°C

Tab

E_AS

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 175°C

V/ns

G = Gate

S = Source

= Drain

T_C= 25°C

715

Tab = Drain

T_J

-55 to +175

+175

°C

T_JM

T_stg

-55 to +175

Features

T_L

1.6mm (0.063in) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

^zInternational Standard Packages

^zFast Intrinsic Rectifier

^zAvalanche Rated

T_SOLD

M_d

Mounting Torque

1.13/10

Nm/lb.in.

^zLow R_DS(ON)and Q_G

Weight

TO-247

TO-264

^zLow Package Inductance

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

^zHigh Power Density

^zEasy to Mount

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

100

2.5

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

^zSpace Savings

5.0

±100 nA

Applications

I_DSS

25 μA

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

T_J= 150°C

500 μA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

V_GS= 15V, I_D= 350A

9 mΩ

mΩ

^zDC-DC Converters

^zLaser Drivers

^zAC and DC Motor Drives

^zRobotics and Servo Controls

DS99380F(01/10)

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IXFK170N10P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTQ170N10P	IXYS	完全替代	Power Field-Effect Transistor, 170A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXFH170N10P	IXYS	完全替代	Polar HiperFET Power MOSFET

与IXFK170N10P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFK170N20P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiperFET
IXFK170N20P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFK170N20T	IXYS	获取价格	GigaMOS Power MOSFET
IXFK170N20T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFK170N25X3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFK170N25X3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFK180N07	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFK180N07	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFK180N085	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFK180N10	IXYS	获取价格	Single MOSFET Die

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