Datasheet > IXFK170N10P

IXFK170N10P

更新时间： 2024-11-18 11:14:03

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
5页	140K
描述
Polar HiperFET Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFK170N10P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-264AA	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	8.35
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	2000 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	170 A
最大漏极电流 (ID)：	170 A	最大漏源导通电阻：	0.009 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-264AA
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	715 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	350 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFK170N10P 数据手册

Polar^TMHiperFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 100V

I_D25= 170A

R_DS(on)≤ 9mΩ

≤ 150ns

IXFH170N10P

IXFK170N10P

t_rr

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Rectifier

TO-247 (IXFH)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

Tab

T_J= 25°C to 175°C

100

V_DGR

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 20

± 30

TO-264 (IXFK)

I_D25

I_L(RMS)

T_C= 25°C

External Lead Current Limit

170

160

I_DM

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

350

I_A

T_C= 25°C

Tab

E_AS

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 175°C

V/ns

G = Gate

S = Source

= Drain

T_C= 25°C

715

Tab = Drain

T_J

-55 to +175

+175

°C

T_JM

T_stg

-55 to +175

Features

T_L

1.6mm (0.063in) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

^zInternational Standard Packages

^zFast Intrinsic Rectifier

^zAvalanche Rated

T_SOLD

M_d

Mounting Torque

1.13/10

Nm/lb.in.

^zLow R_DS(ON)and Q_G

Weight

TO-247

TO-264

^zLow Package Inductance

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

^zHigh Power Density

^zEasy to Mount

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

100

2.5

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

^zSpace Savings

5.0

±100 nA

Applications

I_DSS

25 μA

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

T_J= 150°C

500 μA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

V_GS= 15V, I_D= 350A

9 mΩ

mΩ

^zDC-DC Converters

^zLaser Drivers

^zAC and DC Motor Drives

^zRobotics and Servo Controls

DS99380F(01/10)

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

IXFK170N10P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTQ170N10P	IXYS	完全替代	Power Field-Effect Transistor, 170A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXFH170N10P	IXYS	完全替代	Polar HiperFET Power MOSFET

与IXFK170N10P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFK170N20P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiperFET
IXFK170N20P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFK170N20T	IXYS	获取价格	GigaMOS Power MOSFET
IXFK170N20T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFK170N25X3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFK170N25X3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFK180N07	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFK180N07	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFK180N085	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFK180N10	IXYS	获取价格	Single MOSFET Die

与IXFK170N10P相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFK170N10P

IXFK170N10P 技术参数

IXFK170N10P 数据手册

IXFK170N10P 替代型号

与IXFK170N10P相关器件

与IXFK170N10P相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFK170N10P

IXFK170N10P 技术参数

IXFK170N10P 数据手册

IXFK170N10P 替代型号

与IXFK170N10P相关器件

与IXFK170N10P相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？