IXFK180N10

更新时间： 2024-11-05 04:22:47

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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4页	112K
描述
Single MOSFET Die

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IXFK180N10 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-264AA	包装说明：	PLASTIC, TO-264, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	4.48
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	3000 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	180 A
最大漏极电流 (ID)：	180 A	最大漏源导通电阻：	0.008 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-264AA
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	560 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	720 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFK180N10 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

IXFK 180N10

IXFX 180N10

V_DSS= 100 V

I_D25

R_DS(on)

= 180 A

= 8 mW

Single MOSFET Die

t_rr£ 250 ns

Preliminary data sheet

PLUS247^TM

(IXFX)

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

100

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

D (TAB)

I_D25

I_D(RMS)

I_DM

T_C= 25°C (MOSFET chip capability)

Externallead(currentlimit)

T_C= 25°C, Note 1

180

720

180

TO-264 AA (IXFK)

I_AR

T_C= 25°C

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

(TAB)

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

P_D

T_J

T_C= 25°C

560

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

-55 ... +150

°C

T_JM

T_stg

150

-55 ... +150

°C

Features

• Internationalstandardpackages

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

• Ruggedpolysilicongatecellstructure

• UnclampedInductiveSwitching(UIS)

rated

• Lowpackageinductance

- easy to drive and to protect

• Fastintrinsicrectifier

T_L

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s

300

°C

M_d

Mountingtorque

TO-264

0.9/6

Nm/lb.in.

Weight

PLUS 247

TO-264

Applications

• DC-DC converters

• Batterychargers

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

• DC choppers

• ACmotorcontrol

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS= ±20 V, V_DS= 0

100

2.0

4.0 V

• Temperatureandlightingcontrols

±100nA

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

100 mA

2 mA

Advantages

• PLUS 247^TMpackage for clip or spring

mounting

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

Note 1

8 mW

• Space savings

• Highpowerdensity

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98552B(7/99)

1 - 4

12 3 4

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IXFK180N10 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STD15NF10T4	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 100V - 0.060ohm- 23A - DPAK Low gate charge STripFET II Power MOSFET
STP120NF10	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 100V - 0.009 W - 120A DPAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET
STP80NF10	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 100V - 0.012ohm - 80A D2PAK LOW GAT

与IXFK180N10相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFK180N10_09	IXYS	获取价格	HiperFET Power MOSFETs
IXFK180N15P	IXYS	获取价格	Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFK180N15P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFK180N25T	IXYS	获取价格	GigaMOS Power MOSFET
IXFK180N25T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFK185N10	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 185A I(D) \| TO-264AA
IXFK200N10P	IXYS	获取价格	Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFK200N10P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFK20N120	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFK20N120P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET

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