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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-264AA | 包装说明： | PLASTIC, TO-264, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 4.48 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 3000 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 180 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 180 A | 最大漏源导通电阻： | 0.008 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-264AA |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 560 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 720 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| STD15NF10T4 | STMICROELECTRONICS |
功能相似  |
N-channel 100V - 0.060ohm- 23A - DPAK Low gate charge STripFET II Power MOSFET |
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| STP120NF10 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-CHANNEL 100V - 0.009 W - 120A DPAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET |
|
| STP80NF10 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N-CHANNEL 100V - 0.012ohm - 80A D2PAK LOW GAT |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFK180N10_09 | IXYS |
获取价格 |
HiperFET Power MOSFETs |
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| IXFK180N15P | IXYS |
获取价格 |
Polar HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFK180N15P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFK180N25T | IXYS |
获取价格 |
GigaMOS Power MOSFET |
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| IXFK180N25T | LITTELFUSE |
获取价格 |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
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| IXFK185N10 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 185A I(D) | TO-264AA |
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| IXFK200N10P | IXYS |
获取价格 |
Polar HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFK200N10P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFK20N120 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs |
|
| IXFK20N120P | IXYS |
获取价格 |
Polar Power MOSFET HiPerFET |
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