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IXFK20N80Q

更新时间： 2024-11-17 22:07:59

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2页	75K
描述
HiPerFETTM Power MOSFETs Q-Class

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IXFK20N80Q 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-264AA
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.82
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	800 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	20 A
最大漏极电流 (ID)：	20 A	最大漏源导通电阻：	0.42 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-264AA
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	360 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFK20N80Q 数据手册

Advanced Technical Information

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Q-Class

IXFH20N80Q V_DSS

IXFK20N80Q I_D25

IXFT20N80Q R_DS(on)= 0.42 W

= 800 V

20 A

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated,

t_rr£ 250 ns

Low Q_g, High dv/dt

TO-247AD(IXFH)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

800

(TAB)

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

TO-268 (D3) ( IXFT)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

1.5

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

TO-264AA(IXFK)

P_D

T_C= 25°C

360

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

D (TAB)

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

Mountingtorque

300

°C

G = Gate

M_d

TO-247

TO-264

1.13/10 Nm/lb.in.

0.9/6 Nm/lb.in.

S = Source

TAB = Drain

Weight

Symbol

TO-247

TO-268

TO-264

Features

TestConditions

CharacteristicValues

• IXYS advanced low Q_gprocess

• Internationalstandardpackages

• EpoxymeetUL94V-0,flammability

classification

• Low R_{DS (on)}low Q_g

• Avalanche energy and current rated

• Fast intrinsic rectifier

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 mA

800

2.5

V_GS(th)

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

4.5

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±200 nA

25 mA

Advantages

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %

0.42

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98616(4/99)

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