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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-264AA | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 4.28 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 4000 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 200 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 200 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0075 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-264AA |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 830 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 400 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFK20N120 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFK20N120P | IXYS |
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Polar Power MOSFET HiPerFET |
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| IXFK20N80Q | IXYS |
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HiPerFETTM Power MOSFETs Q-Class |
|
| IXFK210N17T | IXYS |
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GigaMOS Power MOSFET |
|
| IXFK210N30X3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFK210N30X3 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IXFK21N100F | IXYS |
获取价格 |
HiPerRF Power MOSFETs F-Class: MegaHertz Switching |
|
| IXFK21N100Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Q-CLASS |
|
| IXFK21N100Q | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
|
| IXFK220N15P | IXYS |
获取价格 |
Polar Power MOSFET HiperFET |
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