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IXFK180N085

更新时间： 2024-11-05 11:14:03

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描述
HiPerFET Power MOSFETs

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IXFK180N085 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-264
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.82	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	3000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	85 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	180 A	最大漏极电流 (ID)：	180 A
最大漏源导通电阻：	0.007 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-264	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	560 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	720 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

IXFK180N085 数据手册

Advanced Technical Information

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

IXFK 180N085

IXFX 180N085

V_DSS= 85 V

I_D25

R_DS(on)

= 180 A

= 7 mW

Single MOSFET Die

t_rr£ 250 ns

PLUS 247^TM(IXFX)

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

D (TAB)

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

I_D(RMS)

I_DM

T_C= 25°C (MOSFET chip capability)

Externalleadcurrentlimit

T_C= 25°C, Note 1

180

720

180

TO-264 AA (IXFK)

I_AR

T_C= 25°C

(TAB)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

P_D

T_J

T_C= 25°C

560

Features

-55 ... +150

°C

T_JM

T_stg

150

-55 ... +150

°C

• Internationalstandardpackages

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

• Rugged polysilicon gate cell structure

• UnclampedInductiveSwitching(UIS)

rated

T_L

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s

300

°C

M_d

Mountingtorque

TO-264

0.9/6

Nm/lb.in.

• Low package inductance

- easy to drive and to protect

• Fast intrinsic rectifier

Weight

PLUS 247

TO-264

Applications

• DC-DC converters

• Synchronousrectification

• Battery chargers

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

• DC choppers

• Temperatureandlightingcontrols

• Low voltage relays

Symbol

V_DSS

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

V_GS= 0 V, I_D= 3mA

V_GS(th)

I_GSS

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

2.0

4.0 V

V_GS= ±20 V, V_DS= 0

±100nA

Advantages

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

100 mA

2 mA

• PLUS 247^TMpackage for clip or spring

mounting

• Space savings

• High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

Note 1

7 mW

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98637(7/99)

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