IXFK180N07

更新时间： 2024-11-05 11:14:03

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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HiPerFET Power MOSFETs

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IXFK180N07 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-264AA
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.74	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	3000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	70 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	180 A	最大漏极电流 (ID)：	180 A
最大漏源导通电阻：	0.006 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-264AA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	560 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	720 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFK180N07 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

IXFK 180N07

IXFX 180N07

V_DSS= 70 V

I_D25

R_DS(on)

= 180 A

6 mΩ

Single MOSFET Die

t_rr≤ 250 ns

Preliminary Data Sheet

PLUS247^TM

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

D (TAB)

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

I_D(RMS)

I_DM

T_C= 25°C (MOSFET chip capability)

External lead (current limit)

T_C= 25°C, Note 1

180

720

180

TO-264AA(IXFK)

I_AR

T_C= 25°C

(TAB)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

G = Gate

D = Drain

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

S = Source

TAB = Drain

P_D

T_J

T_C= 25°C

560

Features

^zInternational standard packages

^zLow R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

-55 ... +150

°C

T_JM

T_stg

150

-55 ... +150

°C

^zRugged polysilicon gate cell structure

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

T_L

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s

300

°C

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

^zFast intrinsic rectifier

M_d

Mounting torque

TO-264

0.9/6

Nm/lb.in.

Weight

PLUS 247

TO-264

Applications

DC-DC converters

Synchronous rectification

Battery chargers

Switched-mode and resonant-mode

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

power supplies

DC choppers

Temperature and lighting controls

Low voltage relays

min. typ. max.

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 3mA

V_GS(th)

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

2.0

4.0 V

I_GSS

V_GS= ±20 V, V_DS= 0

±100 nA

Advantages

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

100 µA

2 mA

PLUS 247^TMpackage for clip or spring

mounting

Space savings

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

Note 2

6 mΩ

High power density

DS98556C(01/03)

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IXFK180N07 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTP170N075T2	IXYS	功能相似	Preliminary Technical Information TrenchT2TM Power MOSFET
IXTA170N075T2	IXYS	功能相似	Preliminary Technical Information TrenchT2TM Power MOSFET

与IXFK180N07相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFK180N085	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFK180N10	IXYS	获取价格	Single MOSFET Die
IXFK180N10	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFK180N10_09	IXYS	获取价格	HiperFET Power MOSFETs
IXFK180N15P	IXYS	获取价格	Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFK180N15P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFK180N25T	IXYS	获取价格	GigaMOS Power MOSFET
IXFK180N25T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFK185N10	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 185A I(D) \| TO-264AA
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