IXFK180N07

更新时间： 2024-09-20 11:14:03

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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HiPerFET Power MOSFETs

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IXFK180N07 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-264AA
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.74	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	3000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	70 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	180 A	最大漏极电流 (ID)：	180 A
最大漏源导通电阻：	0.006 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-264AA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	560 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	720 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFK180N07 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

IXFK 180N07

IXFX 180N07

V_DSS= 70 V

I_D25

R_DS(on)

= 180 A

6 mΩ

Single MOSFET Die

t_rr≤ 250 ns

Preliminary Data Sheet

PLUS247^TM

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

D (TAB)

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

I_D(RMS)

I_DM

T_C= 25°C (MOSFET chip capability)

External lead (current limit)

T_C= 25°C, Note 1

180

720

180

TO-264AA(IXFK)

I_AR

T_C= 25°C

(TAB)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

G = Gate

D = Drain

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

S = Source

TAB = Drain

P_D

T_J

T_C= 25°C

560

Features

^zInternational standard packages

^zLow R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

-55 ... +150

°C

T_JM

T_stg

150

-55 ... +150

°C

^zRugged polysilicon gate cell structure

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

T_L

1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s

300

°C

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

^zFast intrinsic rectifier

M_d

Mounting torque

TO-264

0.9/6

Nm/lb.in.

Weight

PLUS 247

TO-264

Applications

DC-DC converters

Synchronous rectification

Battery chargers

Switched-mode and resonant-mode

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

power supplies

DC choppers

Temperature and lighting controls

Low voltage relays

min. typ. max.

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 3mA

V_GS(th)

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

2.0

4.0 V

I_GSS

V_GS= ±20 V, V_DS= 0

±100 nA

Advantages

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

100 µA

2 mA

PLUS 247^TMpackage for clip or spring

mounting

Space savings

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

Note 2

6 mΩ

High power density

DS98556C(01/03)

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IXFK180N07 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTP170N075T2	IXYS	功能相似	Preliminary Technical Information TrenchT2TM Power MOSFET
IXTA170N075T2	IXYS	功能相似	Preliminary Technical Information TrenchT2TM Power MOSFET

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFK180N085	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFK180N10	IXYS	获取价格	Single MOSFET Die
IXFK180N10	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFK180N10_09	IXYS	获取价格	HiperFET Power MOSFETs
IXFK180N15P	IXYS	获取价格	Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFK180N15P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFK180N25T	IXYS	获取价格	GigaMOS Power MOSFET
IXFK180N25T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFK185N10	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 185A I(D) \| TO-264AA
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