IXFH15N80

更新时间： 2024-11-17 22:18:35

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描述
HiPerFET Power MOSFETs

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IXFH15N80 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247AD	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.68	其他特性：	AVALANCHE RATED
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	800 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	15 A
最大漏极电流 (ID)：	15 A	最大漏源导通电阻：	0.6 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	300 W	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	150 ns
最大开启时间（吨）：	100 ns	Base Number Matches：	1

IXFH15N80 数据手册

HiPerFET^TMPower MOSFETs

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

N-Channel Enhancement Mode

800 V 14 A 0.70 W

800 V 15 A 0.60 W

t_rr£ 250 ns

IXFH14N80

IXFH15N80

High dv/dt, Low t_rr, HDMOS^TMFamily

Preliminary data

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

TO-247 AD

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

800

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

(TAB)

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

14N80

15N80

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

14N80

15N80

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

14N80

15N80

E_AR

T_C= 25°C

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

Features

P_D

T_C= 25°C

300

• Internationalstandardpackages

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

• Rugged polysilicon gate cell structure

• UnclampedInductiveSwitching(UIS)

rated

• Low package inductance

- easy to drive and to protect

• Fast intrinsic Rectifier

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Mountingtorque

300

°C

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

Applications

• DC-DC converters

• Synchronousrectification

• Battery chargers

• Switched-modeandresonant-mode

power supplies

• DC choppers

• AC motor control

• Temperatureandlightingcontrols

• Low voltage relays

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 3 mA

_DSStemperaturecoefficient

800

2.0

%/K

0.096

V_GS(th)

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

_GS(th)temperature coefficient

4.5

-0.214

%/K

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100

V_DS= 0.8 V_DSS

T_J= 25°C

T_J= 125°C

250

Advantages

_GS= 0 V

• Easy to mount with 1 screw

(isolatedmountingscrewhole)

• Space savings

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

14N80

15N80

0.70

0.60

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %

• High power density

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

96523B(3/98)

1 - 4

12 3 4

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IXFH15N80 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SPW17N80C3	INFINEON	功能相似	Cool MOS⑩ Power Transistor
STW20NK50Z	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 500V -0.23 OHM - 17A TO-220/D2PAK/I2SPAK/TO-247
STW12NK90Z	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-CHANNEL 900V - 0.72 ohm - 11A TO-247 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET

与IXFH15N80相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFH15N80Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFH15N80Q	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFH160N15T	IXYS	获取价格	Power MOSFET TrenchHV HiPerFET
IXFH160N15T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFH160N15T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFH160N15T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXFH16N120P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFH16N120P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFH16N50P	IXYS	获取价格	PolarHV HiperFET Power MOSFET
IXFH16N50P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:

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