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IXFH160N15T2

更新时间： 2024-11-18 12:35:35

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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6页	200K
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TrenchT2 HiperFET Power MOSFET

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IXFH160N15T2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-247
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	8.48	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	150 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	160 A
最大漏极电流 (ID)：	160 A	最大漏源导通电阻：	0.009 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	880 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	440 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFH160N15T2 数据手册

Preliminary Technical Information

TrenchT2^TMHiperFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 150V

I_D25= 160A

IXFH160N15T2

R_DS(on)≤ 9.0mΩ

t_rr

≤ 160ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

TO-247

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

150

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 20

± 30

Tab

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

160

440

G = Gate

= Drain

S = Source

Tab = Drain

I_A

E_AS

T_C= 25°C

1.5

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 175°C

T_C= 25°C

V/ns

Features

880

^zInternational Standard Package

^zHigh Current Handling Capability

^zFast Intrinsic Diode

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +175

°C

^zDynamaic dv/dt Rated

^zAvalanche Rated

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C

Low R_DS(on)

M_d

Mounting Torque

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

Advantages

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

^zDC-DC Converters

^zBattery Chargers

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

150

2.5

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250µA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

4.5

^zDC Choppers

^zAC Motor Drives

^zUninterruptible Power Supplies

^zHigh Speed Power Switching

Applications

± 200 nA

I_DSS

10 µA

1 mA

T_J= 150°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

7.7

9.0 mΩ

DS100228A(04/10)

12 3 4 5 6

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