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IXFH16N120P

更新时间： 2024-11-19 14:53:51

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力特 - LITTELFUSE		/
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IXFH16N120P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.73	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	800 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	16 A
最大漏极电流 (ID)：	16 A	最大漏源导通电阻：	0.95 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	660 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	35 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFH16N120P 数据手册

Polar^TMHiPerFET^TM

Power MOSFETs

V_DSS= 1200V

I_D25= 16A

R_DS(on)≤ 950mΩ

≤ 300ns

IXFT16N120P

IXFH16N120P

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

t_rr

Fast Intrinsic Diode

TO-268 (IXFT)

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

1200

TO-247 (IXFH)

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

D (Tab)

I_A

T_C= 25°C

G = Gate

S = Source

= Drain

E_AS

800

Tab = Drain

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

660

Features

T_J

-55 ... +150

150

°C

^zInternational Standard Packages

^zFast Recovery Diode

T_JM

T_stg

-55 ... +150

^zAvalanche Rated

T_L

T_sold

1.6mm (0.062in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 seconds

300

260

°C

^zLow Package Inductance

M_d

Mounting Torque (TO-247)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Advantages

Weight

TO-268

TO-247

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

1200

3.5

Typ.

Max.

^zHigh Voltage Switch-mode and

Resonant-Mode Power Supplies

^zHigh Voltage Pulse Power Applications

^zHigh Voltage Discharge Circuits in

Lasers Pulsers, Spark Igniters, RF

Generators

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

6.5

±200 nA

^zHigh Voltage DC-DC converters

^zHigh Voltage DC-AC inverters

I_DSS

25 μA

2.5 mA

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

950 mΩ

DS99896B(10/12)

12 3 4 5 6

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