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IXFH16N120P

更新时间： 2024-11-18 11:13:59

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4页	118K
描述
Polar Power MOSFET HiPerFET

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IXFH16N120P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247AD	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	7.78	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	800 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	16 A	最大漏极电流 (ID)：	16 A
最大漏源导通电阻：	0.95 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	660 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	35 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFH16N120P 数据手册

Polar^TMPower MOSFET

HiPerFET^TM

V_DSS= 1200V

I_D25= 16A

R_DS(on)≤ 950mΩ

≤ 300ns

IXFH16N120P

IXFT16N120P

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

t_rr

TO-247 (IXFH)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

1200

TAB

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

TO-268 (IXFT)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

I_A

T_C= 25°C

E_AS

800

TAB

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

G = Gate

S = Source TAB = Drain

= Drain

660

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

Features

-55 ... +150

^zInternational standard packages

^zFast recovery diode

T_L

Maximum lead temperature for soldering

Plastic body for 10s

300

260

°C

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

T_SOLD

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

M_d

Mounting torque (TO-247)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Weight

TO-247

TO-268

Advantages

Easy to mount

Space savings

High power density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Applications:

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

Typ. Max.

^zHigh Voltage Switched-mode and

resonant-mode power supplies

^zHigh Voltage Pulse Power Applications

^zHigh Voltage Discharge circuits in

Lasers Pulsers, Spark Igniters, RF

Generators

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= ± 30V, V_DS= 0V

1200

3.5

6.5

± 200 nA

^zHigh Voltage DC-DC converters

^zHigh Voltage DC-AC inverters

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

25 μA

2.5 mA

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

950 mΩ

DS99896A (04/08)

12 3 4

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IXFH16N120P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTX17N120L	IXYS	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 1200V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXFT16N120P	IXYS	功能相似	Polar Power MOSFET HiPerFET

与IXFH16N120P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFH16N50P	IXYS	获取价格	PolarHV HiperFET Power MOSFET
IXFH16N50P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFH16N50P3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXFH16N50P3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH16N60P3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 600V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXFH16N60P3	LITTELFUSE	获取价格	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFH16N80P	IXYS	获取价格	PolarHV Power MOSFET
IXFH16N80P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFH16N90	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFH16N90Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

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