5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TO-247AD | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 4.29 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1000 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 800 V | 最大漏极电流 (ID)： | 16 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.6 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-247AD | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFH16N90 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs |
|
| IXFH16N90Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
|
| IXFH16N90Q | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
|
| IXFH170N10P | IXYS |
获取价格 |
Polar HiperFET Power MOSFET |
|
| IXFH170N10P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
|
| IXFH170N15X3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘 |
|
| IXFH17N60 | IXYS |
获取价格 |
HIPERFET Power MOSFTETs |
|
| IXFH17N65 | IXYS |
获取价格 |
HIPERFET Power MOSFTETs |
|
| IXFH17N80Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
|
| IXFH180N20X3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
