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IXFH16N50P3

更新时间： 2024-09-15 19:44:47

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	176K
描述
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, PLASTIC, TO-247, 3 PIN

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IXFH16N50P3 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	PLASTIC, TO-247, 3 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	4.42
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	300 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	16 A
最大漏极电流 (ID)：	16 A	最大漏源导通电阻：	0.36 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	330 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFH16N50P3 数据手册

Preliminary Technical Information

Polar3 ^TMHiPerFET^TM

Power MOSFETs

V_DSS= 500V

I_D25= 16A

R_DS(on) 360m

IXFA16N50P3

IXFP16N50P3

IXFH16N50P3

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 AA (IXFA)

Fast Intrinsic Rectifier

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-220AB (IXFP)

T_J= 25C to 150C

500

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

D (Tab)

I_D25

I_DM

T_C= 25C

TO-247 (IXFH)

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

I_A

T_C= 25C

E_AS

300

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150C

T_C= 25C

V/ns

D (Tab)

330

T_J

-55 ... +150

150

C

G = Gate

S = Source

= Drain

T_JM

T_stg

Tab = Drain

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C

Features

F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220 & TO-247)

10..65 / 2.2..14.6

1.13 / 10

N/lb

Nm/lb.in



International Standard Packages

Fast Intrinsic Rectifier

Avalanche Rated

Low R_DS(ON)and Q_G

Low Package Inductance



Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 2.5mA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

500

3.0

5.0

Applications

100 nA



Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

DC-DC Converters

Laser Drivers

AC and DC Motor Drives

Robotics and Servo Controls

I_DSS

15 A

250 A



T_J= 125C



R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

360 m



DS100456A(11/13)

12 3 4 5

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IXFH16N50P3 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
FDH44N50	ONSEMI	功能相似	功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，500 V，44 A，120 mΩ，TO-
STD18N55M5	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 550 V, 0.18 Î©, 13 A, MDmeshâ¢ V P

与IXFH16N50P3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFH16N60P3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 600V, 0.44ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXFH16N60P3	LITTELFUSE	获取价格	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFH16N80P	IXYS	获取价格	PolarHV Power MOSFET
IXFH16N80P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFH16N90	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFH16N90Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFH16N90Q	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFH170N10P	IXYS	获取价格	Polar HiperFET Power MOSFET
IXFH170N10P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFH170N15X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘

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