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| 力特 - LITTELFUSE |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 5页 | 677K |  |
| 描述 | ||
| 功能与特色: 应用: 优点: | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| 包装说明： | TO-247AD, 3 PIN | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.31 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 15 A | 最大漏极电流 (ID)： | 15 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.05 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-247AD | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 300 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 60 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFH15N65 | IXYS |
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HIPERFET Power MOSFTETs |
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| IXFH15N80 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFH15N80 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFH15N80Q | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
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| IXFH15N80Q | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFH160N15T | IXYS |
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Power MOSFET TrenchHV HiPerFET |
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| IXFH160N15T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
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| IXFH160N15T2 | IXYS |
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TrenchT2 HiperFET Power MOSFET |
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| IXFH160N15T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能 |
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| IXFH16N120P | IXYS |
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Polar Power MOSFET HiPerFET |
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