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IXFH150N17T

更新时间： 2024-11-18 11:13:59

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IXYS		/
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5页	156K
描述
TrenchHV Power MOSFET HiperFET

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IXFH150N17T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	TO-247, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.72	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	175 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	150 A	最大漏极电流 (ID)：	150 A
最大漏源导通电阻：	0.012 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	830 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	400 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFH150N17T 数据手册

TrenchHV^TMPower

MOSFET HiperFET^TM

V_DSS= 175V

I_D25= 150A

R_DS(on)≤ 12mΩ

IXFH150N17T

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-247

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

175

V_DGR

(TAB)

V_GSM

Transient

± 30

I_D25

I_LRMS

I_DM

T_C= 25°C

150

G = Gate

S = Source

= Drain

Lead Current Limit, RMS

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

TAB = Drain

400

I_A

T_C= 25°C

E_AS

1.5

Features

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 175°C

T_C= 25°C

V/ns

^zInternational standard package

^zAvalanche rated

^z175°C Operating Temperature

^zHigh current handling capability

830

T_J

-55 ... +175

175

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +175

T_L

T_sold

1.6mm (0.062in.) from case for 10s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

Advantages

Easy to mount

Space savings

High power density

M_d

Mounting torque

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Weight

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

^zDC-DC converters

^zBattery chargers

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

^zSwitched-mode and resonant-mode

power supplies

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 3mA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

175

2.5

5.0

^zDC choppers

^zAC motor drives

±200 nA

^zUninterruptible power supplies

^zHigh speed power switching

applications

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

μA

T_J= 150°C

250

^zSynchronous rectification

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Notes 1

12 mΩ

DS99895A(12/08)

12 3 4 5

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IXFH150N17T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTH150N17T	IXYS	完全替代	Power Field-Effect Transistor, 150A I(D), 175V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXFH150N17T2	IXYS	类似代替	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFH150N17T2	LITTELFUSE	功能相似	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能

与IXFH150N17T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFH150N17T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFH150N17T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXFH150N20T	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier
IXFH150N20T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFH150N25X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFH150N30X3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH15N100	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFH15N100P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFH15N100P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFH15N100Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

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