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IXFH150N17T

更新时间： 2024-01-01 00:04:35

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TrenchHV Power MOSFET HiperFET

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IXFH150N17T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	TO-247, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.72	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	175 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	150 A	最大漏极电流 (ID)：	150 A
最大漏源导通电阻：	0.012 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	830 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	400 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFH150N17T 数据手册

IXFH150N17T

Fig. 1. Output Characteristics

@ 25ºC

Fig. 2. Extended Output Characteristics

@ 25ºC

325

300

275

250

225

200

175

150

125

100

160

140

120

100

V_GS= 10V

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

V_DS- Volts

Fig. 4. R_DS(on)Normalized to I_D= 75A Value

vs. Junction Temperature

Fig. 3. Output Characteristics

@ 150ºC

160

140

120

100

3.2

2.8

2.4

2.0

1.6

1.2

0.8

0.4

V_GS= 10V

I _D= 150A

I _D= 75A

-50

-25

100

125

150

175

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

T_J- Degrees Centigrade

V_DS- Volts

Fig. 5. R_DS(on)Normalized to I_D= 75A Value

vs. Drain Current

Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature

4.0

V_GS= 10V

External Lead Current Limit

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

15V

- - - -

T_J= 175ºC

T_J= 25ºC

120

160

200

240

280

-50

-25

100

125

150

175

I_D- Amperes

T_C- Degrees Centigrade

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