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IXTQ180N10T PDF预览

IXTQ180N10T

更新时间： 2024-11-05 14:42:55
品牌 Logo 应用领域
IXYS 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 202K
描述
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN

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IXTQ180N10T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-3P
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：8.53其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：750 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：180 A最大漏源导通电阻：0.0064 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：450 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IXTQ180N10T 数据手册

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Preliminary Technical Information  
TrenchMVTM  
Power MOSFET  
IXTH180N10T  
IXTQ180N10T  
VDSS = 100  
ID25 = 180  
RDS(on) ≤ 6.4 mΩ  
V
A
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-247 (IXTH)  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
G
(TAB)  
D
VDSS  
VDGR  
TJ = 25° C to 175° C  
TJ = 25° C to 175° C; RGS = 1 MΩ  
100  
100  
V
V
S
VGSM  
Transient  
30  
V
TO-3P (IXTQ)  
ID25  
ILRMS  
IDM  
TC =25°C  
Lead Current Limit, RMS  
TC = 25° C, pulse width limited by TJM  
180  
75  
450  
A
A
A
IAR  
EAS  
TC =25°C  
TC = 25° C  
25  
750  
A
mJ  
G
dv/dt  
PD  
IS ≤IDM, di/dt ≤100 A/µs, VDD ≤VDSS  
TJ ≤175° C, RG = 3.3 Ω  
3
V/ns  
D
S
(TAB)  
TC =25°C  
480  
W
G = Gate  
S = Source  
D = Drain  
TAB = Drain  
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
-55 ... +175  
°C  
°C  
°C  
Features  
ꢀUltra-low On Resistance  
ꢀUnclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
ꢀLow package inductance  
- easy to drive and to protect  
ꢀ175 ° C Operating Temperature  
TL  
TSOLD  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
Plastic body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
Md  
Mounting torque  
1.13 / 10 Nm/lb.in.  
Weight  
TO-3P  
TO-247  
5.5  
6
g
g
Advantages  
ꢀ
Easy to mount  
Space savings  
High power density  
ꢀ
ꢀ
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Applications  
Automotive  
ꢀ
(TJ = 25° C unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
- Motor Drives  
- 42V Power Bus  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0 V, ID = 250 µA  
VDS = VGS, ID = 250 µA  
100  
V
V
2.5  
4.5  
- ABS Systems  
ꢀ
DC/DC Converters and Off-line UPS  
Primary Switch for 24V and 48V  
VGS  
=
20 V, VDS = 0 V  
200  
nA  
ꢀ
Systems  
Distributed Power Architechtures  
and VRMs  
Electronic Valve Train Systems  
IDSS  
VDS = VDSS  
VGS = 0 V  
5
250  
µA  
µA  
ꢀ
TJ = 150° C  
ꢀ
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 25 A, Notes 1, 2  
5.4  
6.4 m Ω  
ꢀ
High Current Switching  
Applications  
High Voltage Synchronous Recifier  
ꢀ
DS99712 (11/06)  
© 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved  
12345

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IXTQ180N10T 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IXTP180N10T IXYS

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