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IXTQ160N10T

更新时间： 2024-12-01 14:56:47

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅
页数	文件大小	规格书
6页	253K
描述
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处

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IXTQ160N10T 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.75
Base Number Matches：	1

IXTQ160N10T 数据手册

Preliminary Technical Information

TrenchMV^TM

Power MOSFET

IXTH160N10T

IXTQ160N10T

V_DSS= 100

I_D25= 160

R_DS(on)≤ 7.0 mΩ

N-ChannelEnhancementMode

AvalancheRated

TO-247 (IXTH)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

(TAB)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C; R_GS= 1 MΩ

100

V_GSM

Transient

± 30

TO-3P (IXTQ)

I_D25

I_LRMS

I_DM

T_C= 25°C

160

430

Lead Current Limit, RMS

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

I_AR

E_AS

T_C= 25°C

500

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/μs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 175°C, R_G= 5 Ω

V/ns

(TAB)

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

T_C= 25°C

430

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +175

°C

Features

^ꢀUltra-low On Resistance

^ꢀUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

^ꢀLow package inductance

- easy to drive and to protect

M_d

Mounting torque

1.13 / 10 Nm/lb.in.

^{g ꢀ}175 °C Operating Temperature

Weight

TO-3P

TO-247

5.5

Advantages

ꢀ

Easy to mount

ꢀ

Space savings

ꢀ

High power density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Applications

ꢀ

Automotive

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 μA

V_DS= V_GS, I_D= 250 μA

V_GS= ± 20 V, V_DS= 0 V

100

- Motor Drives

- 42V Power Bus

2.5

4.5

- ABS Systems

± 200

ꢀ

DC/DC Converters and Off-line UPS

Primary Switch for 24V and 48V

Systems

Distributed Power Architechtures

and VRMs

Electronic Valve Train Systems

High Current Switching

Applications

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

μA

T_J= 150°C

250

ꢀ

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 25 A, Notes 1, 2

5.8

7.0 mΩ

ꢀ

High Voltage Synchronous Recifier

DS99710 (11/06)

12 3 4 5 6

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与IXTQ160N10T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTQ16N50P	IXYS	获取价格	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTQ16N50P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ170N10P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 170A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTQ170N10P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 170A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTQ180N055T	IXYS	获取价格	Trench Gate Power MOSFET
IXTQ180N085T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 85V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTQ180N10T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IXTQ180N10T	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTQ182N055T	IXYS	获取价格	TrenchT2TM Power MOSFET
IXTQ182N055T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低

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