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IXTQ170N10P

更新时间： 2024-11-21 19:28:35

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	166K
描述
Power Field-Effect Transistor, 170A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN

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IXTQ170N10P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.38	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	2000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	170 A	最大漏极电流 (ID)：	170 A
最大漏源导通电阻：	0.009 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	715 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	350 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Pure Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTQ170N10P 数据手册

Polar^TM

Power MOSFET

V_DSS= 100V

I_D25= 170A

R_DS(on)≤ 9mΩ

IXTT170N10P

IXTQ170N10P

IXTK170N10P

TO-268 (IXTT)

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Tab

TO-3P (IXTQ)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 175°C

100

V_DGR

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 20

± 30

Tab

I_D25

I_L(RMS)

T_C= 25°C

External Lead Current Limit

170

160

TO-264 (IXTK)

I_DM

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

350

I_A

T_C= 25°C

E_AS

Tab

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 175°C

V/ns

T_C= 25°C

715

T_J

-55 to +175

+175

°C

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

T_JM

T_stg

-55 to +175

Features

T_L

1.6mm (0.063in) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

T_SOLD

^zInternational Standard Packages

^zFast Intrinsic Rectifier

^zAvalanche Rated

M_d

Mounting Torque (TO-264 & TO-3P)

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

TO-268

TO-3P

TO-264

4.0

5.5

10.0

^zLow R_DS(ON)and Q_G

^zLow Package Inductance

Advantages

^zHigh Power Density

^zEasy to Mount

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

100

2.5

Typ.

Max.

^zSpace Savings

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

5.0

Applications

±100 nA

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

I_DSS

25 μA

T_J= 150°C

250 μA

^zDC-DC Converters

^zLaser Drivers

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

V_GS= 15V, I_D= 350A

9 mΩ

mΩ

^zAC and DC Motor Drives

^zRobotics and Servo Controls

DS99176F(01/10)

12 3 4 5 6

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与IXTQ170N10P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTQ180N055T	IXYS	获取价格	Trench Gate Power MOSFET
IXTQ180N085T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 85V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTQ180N10T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IXTQ180N10T	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTQ182N055T	IXYS	获取价格	TrenchT2TM Power MOSFET
IXTQ182N055T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低
IXTQ18N60P	IXYS	获取价格	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTQ18N60P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ200N06P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 60V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTQ200N075T	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET

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