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IXTQ22N50P

更新时间： 2024-11-18 19:50:27

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	196K
描述
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 500V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN

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IXTQ22N50P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.74	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	750 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	22 A	最大漏极电流 (ID)：	22 A
最大漏源导通电阻：	0.27 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	350 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	50 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTQ22N50P 数据手册

Polar^TM

Power MOSFETs

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

V_DSS= 500V

I_D25= 22A

R_DS(on)≤ 270mΩ

t_rr(typ)= 400ns

IXTV22N50P

IXTV22N50PS

IXTQ22N50P

IXTH22N50P

Fast Intrinsic Diode

PLUS220 (IXTV)

TO-3P (IXTQ)

PLUS220SMD (IXTV_S)

D (TAB)

TO-247 (IXTH)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

500

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

500

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

D (TAB)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

G = Gate

= Drain

S = Source TAB = Drain

I_A

E_AS

T_C= 25°C

750

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

350

V/ns

Features

^zInternational Standard Packages

^zAvalanche Rated

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

°C

^zFast Intrinsic Diode

^zLow Package Inductance

-55 ... +150

°C

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C

Advantages

^zHigh Power Density

^zEasy to Mount

M_d

Mounting Torque (TO-247 & TO-3P)

Mounting Force (PLUS220)

1.13/10

Nm/lb.in.

N/lb.

F_C

11..65/2.5..14.6

^zSpace Savings

Weight

PLUS220 types

TO-3P

TO-247

4.0

5.5

6.0

Applications

^zSwitched-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

^zDC-DC Converters

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

500

3.0

Typ.

Max.

^zLaser Drivers

^zAC and DC Motor Drives

^zRobotics and Servo Controls

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ± 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

5.5

± 100 nA

μA

I_DSS

T_J= 125°C

50 μA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

270 mΩ

DS99351G(07/09)

12 3 4 5 6 7

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与IXTQ22N50P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTQ22N60P	IXYS	获取价格	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTQ22N60P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ23N60Q	IXYS	获取价格	Power MOSFETs Q-Class
IXTQ240N055T	IXYS	获取价格	TrenchMV Power MOSFET
IXTQ24N55Q	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 550V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTQ24N55Q	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 550V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTQ250N075T	IXYS	获取价格	TrenchMV Power MOSFET
IXTQ26N50P	IXYS	获取价格	PolarHVTM Power MOSFET
IXTQ26N50P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ26N60P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 600V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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