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IXTQ36N30P

更新时间： 2024-02-01 08:50:59

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描述
PolarHT Power MOSFET

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IXTQ36N30P 数据手册

Advanced Technical Information

PolarHT^TM

Power MOSFET

IXTQ 36N30P

IXTA 36N30P

IXTP 36N30P

V_DSS= 300 V

I_D2536 A

R_DS(on)= 110 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

TO-3P(IXTQ)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

= 25°C to 150°C

300

T^J_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

(TAB)

V_GSM

TO-220 (IXTP)

I_D25

I_DM

= 25°C

T^C_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

I_AR

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

(TAB)

1.0

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 10 Ω

V/ns

TO-263 (IXTA)

T_C= 25°C

300

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

(TAB)

G = Gate

D = Drain

TAB = Drain

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Maximum tab temperature for soldering

TO-263 package for 10s

300

260

°C

S = Source

Features

M_d

Mounting torque

(TO-3P / TO-220)

1.13/10 Nm/lb.in.

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Weight

TO-3P

TO-220

TO-263

5.5

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

Advantages

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

300

Easy to mount

Space savings

2.5

5.0

High power density

100

PolarHT^TMDMOStransistors

utilize proprietary designs and

process. US patent is pending.

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

µA

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

110 mΩ

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99155(03/04)

12 3 4 5

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IXTQ36N30P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTP36N30P	IXYS	完全替代	PolarHT Power MOSFET
IXTA36N30P	IXYS	完全替代	PolarHT Power MOSFET
IXFH35N30S	IXYS	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 300V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta

与IXTQ36N30P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTQ36N50P	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode
IXTQ36N50P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ36P15P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 150V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IXTQ36P15P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTQ3N150M	LITTELFUSE	获取价格	高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉
IXTQ40N50L2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTQ40N50Q	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 500V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTQ42N25P	IXYS	获取价格	PolarHTTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTQ42N25P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ44N50P	IXYS	获取价格	PolarHV Power MOSFET

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