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IXTQ30N50L2

更新时间: 2024-11-06 14:56:51
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力特 - LITTELFUSE 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 179K
描述
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用,具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时,相对于传统的开关模式具有相当高的热应

IXTQ30N50L2 技术参数

生命周期:Active包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.68
Is Samacsys:NBase Number Matches:1

IXTQ30N50L2 数据手册

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LinearL2TM  
Power MOSFET  
w/ Extended FBSOA  
VDSS = 500V  
ID25 = 30A  
RDS(on) 215m  
IXTH30N50L2  
IXTQ30N50L2  
IXTT30N50L2  
D
O
TO-268 (IXTT)  
N-Channel Enhancement Mode  
RGi  
G
w
w
G
O
S
O
S
D (Tab)  
TO-3P (IXTQ)  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TJ = 25C to 150C  
500  
500  
V
V
VDGR  
TJ = 25C to 150C, RGS = 1M  
G
D
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
S
D (Tab)  
ID25  
IDM  
TC = 25C  
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
30  
60  
A
A
TO-247 (IXTH)  
IA  
TC = 25C  
TC = 25C  
30  
A
J
EAS  
1.5  
PD  
TC = 25C  
400  
W
G
D
TJ  
-55 ... +150  
150  
C  
C  
C  
D (Tab)  
S
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
G = Gate  
D
= Drain  
S = Source  
Tab = Drain  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
Plastic Body for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Md  
Mounting Torque (TO-247&TO-3P)  
1.13 / 10  
Nm/lb.in  
Features  
Weight  
TO-268  
TO-3P  
TO-247  
4.0  
5.5  
6.0  
g
g
g
Designed for Linear Operation  
International Standard Packages  
Avalanche Rated  
Guaranteed FBSOA at 75C  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Advantages  
(TJ = 25C Unless Otherwise Specified)  
Min.  
500  
2.5  
Typ.  
Max.  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250μA  
VDS = VGS, ID = 250μA  
VGS = 20V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
V
V
Easy to Mount  
Space Savings  
High Power Density  
4.5  
          100 nA  
Applications  
IDSS  
50 A  
TJ = 125C  
300 A  
Solid State Circuit Breakers  
Soft Start Controls  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 0.5 • ID25, Note 1  
215 m  
Linear Amplifiers  
Programmable Loads  
Current Regulators  
© 2014 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS99957B (02/14)  

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