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IXTQ16N50P

更新时间： 2024-10-01 14:56:55

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力特 - LITTELFUSE		/
页数	文件大小	规格书
5页	246K
描述
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡的器件解决方案。这些器件包含了Polar技术平台，以实现低导通电阻（Rdson）。 Polar标准MOS

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IXTQ16N50P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	750 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	16 A
最大漏极电流 (ID)：	16 A	最大漏源导通电阻：	0.4 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	35 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTQ16N50P 数据手册

PolarHT^TM

Power MOSFET

V_DSS= 500V

I_D25= 16A

R_DS(on)≤ 400mΩ

IXTA16N50P

IXTP16N50P

IXTQ16N50P

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 (IXTA)

(TAB)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

500

TO-220 (IXTP)

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

(TAB)

I_A

T_C= 25°C

TO-3P (IXTQ)

E_AS

750

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

300

T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

150

- 55 ... +150

°C

(TAB)

G = Gate

S = Source

= Drain

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

TAB = Drain

M_d

Mounting Torque

(TO-3P,TO-220)

1.13/10

Nm/lb.in.

Features

Weight

TO-263

TO-220

TO-3P

2.5

3.0

5.5

^zInternational Standard Packages

^zAvalanche Rated

^zFast Intrinsic Diode

^zLow Package Inductance

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Advantages

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

500

3.0

Typ. Max.

^zHigh Power Density

^zEasy to Mount

^zSpace Savings

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

5.5

±100 nA

μA

Applications

I_DSS

T_J= 125°C

50 μA

^zSwitched-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

400 mΩ

^zDC-DC Converters

^zLaser Drivers

^zAC and DC Motor Drives

^zRobotics and Servo Controls

DS99323F(05/09)

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTQ170N10P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 170A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTQ170N10P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 170A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTQ180N055T	IXYS	获取价格	Trench Gate Power MOSFET
IXTQ180N085T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 85V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTQ180N10T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IXTQ180N10T	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTQ182N055T	IXYS	获取价格	TrenchT2TM Power MOSFET
IXTQ182N055T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低
IXTQ18N60P	IXYS	获取价格	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTQ18N60P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡

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