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IXTQ152N085T PDF预览

IXTQ152N085T

更新时间： 2024-11-05 20:10:59
品牌 Logo 应用领域
IXYS 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 179K
描述
Power Field-Effect Transistor, 152A I(D), 85V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN

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IXTQ152N085T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-3P
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.84雪崩能效等级（Eas）：750 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：85 V最大漏极电流 (ID)：152 A
最大漏源导通电阻：0.007 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：410 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IXTQ152N085T 数据手册

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Preliminary Technical Information  
TrenchMVTM  
Power MOSFET  
IXTH152N085T  
IXTQ152N085T  
VDSS = 85  
ID25 = 152  
RDS(on) ≤ 7.0 mΩ  
V
A
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TO-247 (IXTH)  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25°C to 175°C  
TJ = 25°C to 175°C; RGS = 1 MΩ  
85  
85  
V
V
VGSM  
Transient  
± 20  
V
ID25  
ILRMS  
IDM  
TC = 25°C  
152  
75  
410  
A
A
A
Lead Current Limit, RMS  
G
(TAB)  
D
TC = 25°C, pulse width limited by TJM  
S
IAR  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
25  
750  
A
mJ  
TO-3P (IXTQ)  
dv/dt  
PD  
IS ≤ IDM, di/dt ≤ 100 A/μs, VDD ≤ VDSS  
TJ ≤ 175°C, RG = 5 Ω  
3
V/ns  
TC = 25°C  
360  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
-55 ... +175  
°C  
°C  
°C  
G
D
(TAB)  
S
TL  
TSOLD  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
Plastic body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
G = Gate  
D = Drain  
S = Source  
TAB = Drain  
Md  
Mounting torque  
1.13 / 10 Nm/lb.in.  
Features  
Weight  
TO-3P  
TO-247  
5.5  
6
g
g
ꢀUltra-low On Resistance  
ꢀUnclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
ꢀLow package inductance  
- easy to drive and to protect  
ꢀ175 °C Operating Temperature  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
Advantages  
ꢀ
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0 V, ID = 250 μA  
VDS = VGS, ID = 250 μA  
VGS = ± 20 V, VDS = 0 V  
85  
V
V
Easy to mount  
ꢀ
Space savings  
2.0  
4.0  
ꢀ
High power density  
± 200  
nA  
Applications  
ꢀ
Automotive  
IDSS  
VDS = VDSS  
VGS = 0 V  
5
μA  
μA  
- Motor Drives  
- 42V Power Bus  
TJ = 150°C  
250  
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 25 A, Notes 1, 2  
5.5  
7.0 mΩ  
- ABS Systems  
ꢀ
DC/DC Converters and Off-line UPS  
ꢀ
Primary Switch for 24V and 48V  
Systems  
ꢀ
High Current Switching  
Applications  
DS99699 (11/06)  
© 2006 IXYS CORPORATION All rights reserved  
12345

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IXTQ152N085T 替代型号

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