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IXTQ14N60P

更新时间： 2024-11-05 19:55:15

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	203K
描述
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.55ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, TO-3P, 3 PIN

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IXTQ14N60P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	TO-3P, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.74
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	900 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	14 A
最大漏极电流 (ID)：	14 A	最大漏源导通电阻：	0.55 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	42 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTQ14N60P 数据手册

Polar^TM

Power MOSFET

IXTA14N60P

IXTP14N60P

IXTQ14N60P

V_DSS= 600V

I_D25= 14A

R_DS(on) 550m

Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 AA (IXTA)

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-220AB (IXTP)

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

600

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

D (Tab)

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, pulse width limited by T_JM

TO-3P (IXTQ)

I_A

E_AS

T_C= 25C

900

P_D

T_C= 25C

300

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

C

D (Tab)

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

M_d

Mounting torque (TO-220 &TO-3P)

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

TO-263

TO-220

TO-3P

2.5

3.0

5.5

Features



International Standard Packages

Fast Intrinsic Rectifier

Avalanche Rated

Low R_DS(ON)and Q_G

Low Package Inductance



Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

(T_J= 25C, unless otherwise specified)

Min.

600

3.0

Typ. Max.



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250A

V_DS= V_GS, I_D= 250A

V_GS=  30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

5.5

Applications

100 nA

A



I_DSS

Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

DC-DC Converters

Laser Drivers

AC and DC Motor Drives

Robotics and Servo Controls

T_J= 125C

100 μA



R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

450 550 m



DS99329G(10/15)

12 3 4 5

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IXTQ14N60P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTA14N60P	IXYS	完全替代	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.55ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IXTP14N60P	IXYS	类似代替	PolarHVTM Power MOSFET

与IXTQ14N60P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTQ150N06P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 150A I(D), 60V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTQ150N06P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 150A I(D), 60V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTQ150N15P	IXYS	获取价格	PolarHTTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTQ150N15P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ152N085T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 152A I(D), 85V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTQ160N075T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低
IXTQ160N10T	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET
IXTQ160N10T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTQ16N50P	IXYS	获取价格	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTQ16N50P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡

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