Datasheet > IXTQ14N60P

IXTQ14N60P

更新时间： 2024-11-18 19:55:15

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	203K
描述
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.55ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, TO-3P, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTQ14N60P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	TO-3P, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.74
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	900 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	14 A
最大漏极电流 (ID)：	14 A	最大漏源导通电阻：	0.55 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	42 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTQ14N60P 数据手册

Polar^TM

Power MOSFET

IXTA14N60P

IXTP14N60P

IXTQ14N60P

V_DSS= 600V

I_D25= 14A

R_DS(on) 550m

Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 AA (IXTA)

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-220AB (IXTP)

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

600

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

D (Tab)

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, pulse width limited by T_JM

TO-3P (IXTQ)

I_A

E_AS

T_C= 25C

900

P_D

T_C= 25C

300

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

C

D (Tab)

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

M_d

Mounting torque (TO-220 &TO-3P)

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

TO-263

TO-220

TO-3P

2.5

3.0

5.5

Features



International Standard Packages

Fast Intrinsic Rectifier

Avalanche Rated

Low R_DS(ON)and Q_G

Low Package Inductance



Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

(T_J= 25C, unless otherwise specified)

Min.

600

3.0

Typ. Max.



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250A

V_DS= V_GS, I_D= 250A

V_GS=  30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

5.5

Applications

100 nA

A



I_DSS

Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

DC-DC Converters

Laser Drivers

AC and DC Motor Drives

Robotics and Servo Controls

T_J= 125C

100 μA



R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

450 550 m



DS99329G(10/15)

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

IXTQ14N60P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTA14N60P	IXYS	完全替代	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.55ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IXTP14N60P	IXYS	类似代替	PolarHVTM Power MOSFET

与IXTQ14N60P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTQ150N06P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 150A I(D), 60V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTQ150N06P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 150A I(D), 60V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTQ150N15P	IXYS	获取价格	PolarHTTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTQ150N15P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ152N085T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 152A I(D), 85V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTQ160N075T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低
IXTQ160N10T	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET
IXTQ160N10T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTQ16N50P	IXYS	获取价格	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTQ16N50P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡

与IXTQ14N60P相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

18
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

43
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

38

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTQ14N60P

IXTQ14N60P 技术参数

IXTQ14N60P 数据手册

IXTQ14N60P 替代型号

与IXTQ14N60P相关器件

与IXTQ14N60P相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTQ14N60P

IXTQ14N60P 技术参数

IXTQ14N60P 数据手册

IXTQ14N60P 替代型号

与IXTQ14N60P相关器件

与IXTQ14N60P相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？