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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | TO-220, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.7 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 900 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 14 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 14 A | 最大漏源导通电阻： | 0.55 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 42 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXTQ14N60P | IXYS |
类似代替  |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.55ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IXTA14N60P | IXYS |
功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.55ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTP14N60PM | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IXTP14N60PM | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| IXTP14N60X2 | LITTELFUSE |
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这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的 |
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| IXTP150N15X4 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
|
| IXTP150N15X4A | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTP152N085T | IXYS |
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Preliminary Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET |
|
| IXTP15N25MA | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXTP15N25MB | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXTP15N30MA | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
|
| IXTP15N30MB | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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