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IXTP14N60PM

更新时间： 2024-01-01 18:21:02

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	118K
描述
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

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IXTP14N60PM 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.71	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	900 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7 A	最大漏极电流 (ID)：	7 A
最大漏源导通电阻：	0.55 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	75 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	42 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTP14N60PM 数据手册

PolarHV^TMPower

MOSFET

V_DSS= 600V

I_D25= 7A

R_DS(on)≤ 550mΩ

IXTP14N60PM

(Electrically Isolated Tab)

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

OVERMOLDED

(IXTP...M) OUTLINE

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1 MΩ

600

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

Isolated Tab

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

G = Gate

D = Drain

S = Source

I_A

E_AS

T_C= 25°C

900

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J=150°C

T_C= 25°C

V/ns

Features

T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

150

- 55 ... +150

°C

^ꢀPlastic overmolded tab for electrical

isolation

^ꢀInternational standard package

^ꢀAvalanche rated

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

^ꢀFast Intrinsic Diode

^ꢀLow package inductance

M_d

Mounting torque

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

2.5

Advantages

ꢀ

Easy to mount

Space savings

ꢀ

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

Applications:

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

BV_DSS

V_GS(th)

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

600

^ꢀSwitched-mode and resonant-mode

power supplies

3.0

5.5

^ꢀDC-DC Converters

^ꢀLaser Drivers

^ꢀAC and DC motor drives

^ꢀRobotics and servo controls

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

±100 nA

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

5 μA

100 μA

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 7A, Note 1

550 mΩ

DS99738F(12/08)

12 3 4 5 6

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