Datasheet > IXTQ150N06P

IXTQ150N06P

更新时间： 2024-02-01 16:23:45

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	91K
描述
Power Field-Effect Transistor, 150A I(D), 60V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTQ150N06P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.75	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	2500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	150 A	最大漏源导通电阻：	0.01 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	280 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTQ150N06P 数据手册

PolarHT^TM

Power MOSFET

IXTQ 150N06P

V_DSS= 60 V

I_D25= 150 A

R_DS(on)≤ 10 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-3P (IXTQ)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

(TAB)

I_D25

T_C= 25°C

150

I_DRMS

I_DM

External lead current limit

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

280

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

I_AR

T_C= 25°C

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

2.5

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/μs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 10 Ω

V/ns

Features

T_C= 25°C

480

^zInternational standard package

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +150

°C

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Mounting torque

300

°C

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

5.5

Advantages

Weight

Easy to mount

Space savings

High power density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

2.5

5.0

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

μA

T_J= 150°C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

10 mΩ

Pulse test, t ≤ 300 μs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99254E(12/05)

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与IXTQ150N06P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTQ150N15P	IXYS	获取价格	PolarHTTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTQ150N15P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ152N085T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 152A I(D), 85V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTQ160N075T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低
IXTQ160N10T	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET
IXTQ160N10T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTQ16N50P	IXYS	获取价格	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTQ16N50P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ170N10P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 170A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTQ170N10P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 170A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M

与IXTQ150N06P相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

11
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

10
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

12
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

15

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTQ150N06P

IXTQ150N06P 技术参数

IXTQ150N06P 数据手册

与IXTQ150N06P相关器件

与IXTQ150N06P相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTQ150N06P

IXTQ150N06P 技术参数

IXTQ150N06P 数据手册

与IXTQ150N06P相关器件

与IXTQ150N06P相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？