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IXTQ140N10P

更新时间： 2024-11-05 03:13:39

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PolarHT⑩ Power MOSFET

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IXTQ140N10P 数据手册

IXTQ 140N10P

IXTT 140N10P

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

≤

100 V

140 A

11 mΩ

PolarHT^TM

Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-3P (IXTQ)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 175° C

T_J= 25° C to 175° C; R_GS= 1 MΩ

100

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

I_D25

T_C=25° C

140

I_D(RMS)

I_DM

External lead current limit

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

(TAB)

300

I_AR

T_C=25° C

E_AR

E_AS

T_C=25° C

TO-268 (IXTT)

2.5

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 4 Ω

V/ns

D (TAB)

T_C=25° C

600

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +150

°C

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

Features

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

M_d

Mounting torque

(TO-3P)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-3P

TO-268

5.5

5.0

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Advantages

(T_J= 25° C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Easy to mount

Space savings

High power density

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

100

3.0

5.0

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

500

µA

T_J= 175° C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

V_GS= 15 V, I_D= 300 A

11 mΩ

mΩ

Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99133E(12/05)

12 3 4 5

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IXTQ140N10P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTT140N10P	IXYS	功能相似	PolarHT⑩ Power MOSFET
IXFT140N10P	IXYS	功能相似	PolarHV HiPerFET Power MOSFETs
IXFH140N10P	IXYS	功能相似	PolarHV HiPerFET Power MOSFETs

与IXTQ140N10P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTQ14N60P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.55ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IXTQ14N60P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.55ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IXTQ150N06P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 150A I(D), 60V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTQ150N06P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 150A I(D), 60V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTQ150N15P	IXYS	获取价格	PolarHTTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTQ150N15P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ152N085T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 152A I(D), 85V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTQ160N075T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低
IXTQ160N10T	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET
IXTQ160N10T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低

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