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IXTQ140N10P

更新时间: 2024-11-22 14:56:11
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力特 - LITTELFUSE /
页数 文件大小 规格书
6页 238K
描述
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡的器件解决方案。 这些器件包含了Polar技术平台,以实现低导通电阻(Rdson)。 Polar标准MOS

IXTQ140N10P 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.76其他特性:AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas):2500 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):140 A最大漏极电流 (ID):140 A
最大漏源导通电阻:0.011 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):600 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):300 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Powers表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IXTQ140N10P 数据手册

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IXTQ 140N10P  
IXTT 140N10P  
VDSS  
ID25  
RDS(on)  
=
=
100 V  
140 A  
11 mΩ  
PolarHTTM  
Power MOSFET  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TO-3P (IXTQ)  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25° C to 175° C  
TJ = 25° C to 175° C; RGS = 1 MΩ  
100  
100  
V
V
VGS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
ID25  
TC =25° C  
140  
75  
A
A
A
ID(RMS)  
IDM  
External lead current limit  
TC = 25° C, pulse width limited by TJM  
G
D
S
(TAB)  
300  
IAR  
TC =25° C  
60  
A
EAR  
EAS  
TC =25° C  
TC =25° C  
80  
mJ  
J
TO-268 (IXTT)  
2.5  
dv/dt  
PD  
IS IDM, di/dt 100 A/µs, VDD VDSS  
TJ 150° C, RG = 4 Ω  
,
10  
V/ns  
G
S
D (TAB)  
TC =25° C  
600  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
G = Gate  
S = Source  
D = Drain  
TAB = Drain  
Features  
TL  
TSOLD  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
Plastic body for 10 s  
300  
260  
°C  
°C  
l
International standard packages  
Unclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
Low package inductance  
- easy to drive and to protect  
l
Md  
Mounting torque  
(TO-3P)  
1.13/10 Nm/lb.in.  
Weight  
TO-3P  
TO-268  
5.5  
5.0  
g
g
l
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Advantages  
(TJ = 25° C, unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
l
Easy to mount  
Space savings  
High power density  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0 V, ID = 250 µA  
VDS = VGS, ID = 250µA  
VGS = 20 VDC, VDS = 0  
100  
V
V
l
3.0  
5.0  
l
100  
nA  
IDSS  
VDS = VDSS  
VGS = 0 V  
25  
500  
µA  
µA  
TJ = 175° C  
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 0.5 ID25  
VGS = 15 V, ID = 300 A  
11 mΩ  
mΩ  
9
Pulse test, t 300 µs, duty cycle d 2 %  
DS99133E(12/05)  
© 2006 IXYS All rights reserved  

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