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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
6页 | 238K | |
描述 | ||
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡的器件解决方案。 这些器件包含了Polar技术平台,以实现低导通电阻(Rdson)。 Polar标准MOS |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTQ14N60P | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.55ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met | |
IXTQ14N60P | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.55ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met | |
IXTQ150N06P | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, 150A I(D), 60V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IXTQ150N06P | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 150A I(D), 60V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IXTQ150N15P | IXYS |
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PolarHTTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode | |
IXTQ150N15P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTQ152N085T | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 152A I(D), 85V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IXTQ160N075T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(ON)极低,因此确保了非常低 | |
IXTQ160N10T | IXYS |
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Preliminary Technical Information TrenchMVTM Power MOSFET | |
IXTQ160N10T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 |