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IXTQ130N20T

更新时间： 2024-11-19 14:56:47

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅
页数	文件大小	规格书
6页	204K
描述
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处

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Trench^TM

Power MOSFET

V_DSS= 200V

I_D25= 130A

R_DS(on) 16m

IXTQ130N20T

IXTH130N20T

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-3P (IXTQ)

Fast Intrinsic Rectifier

Tab

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-247 ( IXTH)

T_J= 25C to 175C

T_J= 25C to 175C, R_GS= 1M

200

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

 20

 30

Tab

I_D25

I_LRMS

T_C= 25C

Lead Current Limit, RMS

130

I_DM

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

320

G = Gate

= Drain

S = Source

Tab = Drain

I_A

T_C= 25C

E_AS

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 175°C

T_C= 25C

V/ns

Features

830



High Current Handling Capability

Avalanche Rated

Fast Intrinsic rectifier

Low R_DS(on)

T_J

-55 ... +175

175



C



T_JM

T_stg



-55 ... +175

_

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Advantages

M_d

Mounting Torque

1.13 / 10

Nm/lb.in



Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Weight

TO-3P

TO-247

5.5

6.0



Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C Unless Otherwise Specified)

Min.

200

2.5

Typ.

Max.

DC-DC Converters

Battery Chargers

Switch-Mode and Resonant-Mode



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V



Power Supplies

DC Choppers

AC Motor Drives

Uninterruptible Power Supplies

5.0



          200 nA



I_DSS

25 A

500 μA



High Speed Power Switching

T_J= 150C

Applications

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

16 m

DS99846(10/14)

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXTQ140N10P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ14N60P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.55ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IXTQ14N60P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.55ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IXTQ150N06P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 150A I(D), 60V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTQ150N06P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 150A I(D), 60V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTQ150N15P	IXYS	获取价格	PolarHTTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTQ150N15P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTQ152N085T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 152A I(D), 85V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTQ160N075T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低

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