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IXTQ130N20T PDF预览

IXTQ130N20T

更新时间： 2024-11-06 14:56:47
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 栅
页数 文件大小 规格书
6页 204K
描述
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处

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TrenchTM  
Power MOSFET  
VDSS = 200V  
ID25 = 130A  
RDS(on) 16m  
IXTQ130N20T  
IXTH130N20T  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-3P (IXTQ)  
Fast Intrinsic Rectifier  
G
D
S
Tab  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TO-247 ( IXTH)  
TJ = 25C to 175C  
TJ = 25C to 175C, RGS = 1M  
200  
200  
V
V
VDGR  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
G
D
Tab  
ID25  
ILRMS  
TC = 25C  
Lead Current Limit, RMS  
130  
75  
A
A
S
IDM  
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
320  
A
G = Gate  
D
= Drain  
S = Source  
Tab = Drain  
IA  
TC = 25C  
TC = 25C  
4
1
A
J
EAS  
dv/dt  
PD  
IS IDM, VDD VDSS, TJ 175°C  
TC = 25C  
10  
V/ns  
W
Features  
830  
High Current Handling Capability  
Avalanche Rated  
Fast Intrinsic rectifier  
Low RDS(on)  
TJ  
-55 ... +175  
175  
C  
C  
C  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Advantages  
Md  
Mounting Torque  
1.13 / 10  
Nm/lb.in  
Easy to Mount  
Space Savings  
High Power Density  
Weight  
TO-3P  
TO-247  
5.5  
6.0  
g
g
Applications  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C Unless Otherwise Specified)  
Min.  
200  
2.5  
Typ.  
Max.  
DC-DC Converters  
Battery Chargers  
Switch-Mode and Resonant-Mode  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250μA  
VDS = VGS, ID = 1mA  
VGS = 20V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
V
V
Power Supplies  
DC Choppers  
AC Motor Drives  
Uninterruptible Power Supplies  
5.0  
          200 nA  
IDSS  
25 A  
500 μA  
High Speed Power Switching  
TJ = 150C  
Applications  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 0.5 • ID25, Note 1  
16 m  
DS99846(10/14)  
© 2014 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
123456

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