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IXTQ130N15T

更新时间： 2024-11-19 14:56:19

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅
页数	文件大小	规格书
6页	215K
描述
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处

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IXTQ130N15T 数据手册

Preliminary Technical Information

TrenchHV^TM

Power MOSFET

IXTH130N15T

IXTQ130N15T

V_DSS= 150

I_D25= 130

R_DS(on)≤ 12 mΩ

N-ChannelEnhancementMode

AvalancheRated

TO-247 (IXTH)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

(TAB)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C; R_GS= 1 MΩ

150

V_GSM

Transient

± 30

TO-3P(IXTQ)

I_D25

I_LRMS

I_DM

T_C= 25°C

Lead Current Limit, RMS

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

130

330

I_AR

E_AS

T_C= 25°C

1.2

(TAB)

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/ms, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 175°C, R_G= 2.5 Ω

V/ns

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

T_C= 25°C

750

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +175

°C

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

Features

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

M_d

Mounting torque

1.13 / 10 Nm/lb.in.

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

^z175 °C Operating Temperature

Weight

TO-3P

TO-247

5.5

Advantages

Easy to mount

Space savings

High power density

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 μA

V_DS= V_GS, I_D= 1 mA

V_GS= ± 20 V, V_DS= 0 V

150

2.5

4.5

± 200

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

μA

T_J= 150°C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25, Notes 1, 2

12 mΩ

DS99796 (02/07)

12 3 4 5 6

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