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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-3P |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 8.49 | 其他特性： | AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 500 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 130 A | 最大漏极电流 (ID)： | 130 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0091 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 360 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 300 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXTP130N10T | IXYS |
完全替代  |
TrenchMVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| IXTH130N10T | IXYS |
完全替代 |
TrenchMVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| IXFP130N10T | IXYS |
类似代替 |
TrenchMV Power MOSFET HiperFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTQ130N15T | IXYS |
获取价格 |
MOSFET N-CH 150V 130A TO-3P |
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| IXTQ130N15T | LITTELFUSE |
获取价格 |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
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| IXTQ130N20T | LITTELFUSE |
获取价格 |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
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| IXTQ140N10P | IXYS |
获取价格 |
PolarHT⑩ Power MOSFET |
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| IXTQ140N10P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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| IXTQ14N60P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.55ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IXTQ14N60P | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.55ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IXTQ150N06P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 150A I(D), 60V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IXTQ150N06P | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 150A I(D), 60V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IXTQ150N15P | IXYS |
获取价格 |
PolarHTTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
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