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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | 风险等级： | 7.91 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 500 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 130 A | 最大漏极电流 (ID)： | 130 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0091 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 360 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 350 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXTQ130N10T | IXYS |
完全替代  |
TrenchMVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| IXFP130N10T2 | IXYS |
类似代替 |
TrenchT2 HiperFET Power MOSFET |
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| IXFP130N10T | IXYS |
类似代替 |
TrenchMV Power MOSFET HiperFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTP130N15X4 | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，打造出电阻RDS(on)和栅极电荷Qg显著更低 |
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| IXTP130N15X4A | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些IXTP130N15X4A器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，打造出电阻RDS(o |
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| IXTP140N055T2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能 |
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| IXTP140N12T2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTP140P05T | IXYS |
获取价格 |
TrenchP Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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| IXTP140P05T | LITTELFUSE |
获取价格 |
Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱 |
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| IXTP14N60P | IXYS |
获取价格 |
PolarHVTM Power MOSFET |
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| IXTP14N60P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.55ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IXTP14N60PM | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IXTP14N60PM | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 600V, 0.55ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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