IXTH130N10T

更新时间： 2024-11-05 12:02:23

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
TrenchMVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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IXTH130N10T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	8.52	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE	雪崩能效等级（Eas）：	500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	130 A
最大漏极电流 (ID)：	130 A	最大漏源导通电阻：	0.0091 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	360 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTH130N10T 数据手册

TrenchMV^TM

Power MOSFET

V_DSS= 100V

I_D25= 130A

R_DS(on)≤ 9.1mΩ

IXTH130N10T

IXTQ130N10T

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-247 (IXTH)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

100

(TAB)

V_DGR

V_GSM

Transient

± 20

TO-3P (IXTQ)

I_D25

I_LRMS

I_DM

T_C= 25°C

Lead Current Limit, RMS

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

130

300

I_A

T_C= 25°C

500

360

E_AS

P_D

(TAB)

G = Gate

TAB

Drain

T_J

-55 ... +175

175

°C

S = Source

T_JM

T_stg

-55 ... +175

Features

T_L

1.6mm (0.062in.) from case for 10s

Plastic body for 10 seconds

300

260

°C

^zUltra-low On Resistance

^zUnclampedInductiveSwitching(UIS)

rated

^zLowpackageinductance

- easy to drive and to protect

^z175°COperatingTemperature

M_d

Mountingtorque(TO-247)(TO-3P)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Weight

TO-247

TO-3P

6.0

5.5

Advantages

Easy to mount

Space savings

Highpowerdensity

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

100

2.5

Applications

4.5

Automotive

±200 nA

μA

- MotorDrives

- High Side Switch

- 12VBattery

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

T_J= 150°C

250 μA

9.1 mΩ

- ABS Systems

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 25A, Notes 1, 2

DC/DC Converters and Off-line UPS

Primary- Side Switch

HighCurrentSwitching

Applications

DS99708A(07/08)

12 3 4 5

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IXTH130N10T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTQ130N10T	IXYS	完全替代	TrenchMVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXFA130N10T	IXYS	类似代替	TrenchMV Power MOSFET HiperFET
IXFP130N10T	IXYS	类似代替	TrenchMV Power MOSFET HiperFET

与IXTH130N10T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTH130N15T	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTH130N15T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 150V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTH130N15X4	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTH130N20T	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTH130N20T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTH13N110	IXYS	获取价格	MEGA MOS FET
IXTH13N110	LITTELFUSE	获取价格	高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉
IXTH13N65	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 650V V(BR)DSS \| 13A I(D) \| TO-218VAR
IXTH13N80	IXYS	获取价格	MegaMOSFET
IXTH13N80	LITTELFUSE	获取价格	高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉

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