IXFT7N90Q

更新时间： 2024-11-04 21:55:11

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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2页	58K
描述
HiPerFETTM Power MOSFETs Q-Class

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IXFT7N90Q 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-268AA	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	700 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	900 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	7 A
最大漏极电流 (ID)：	7 A	最大漏源导通电阻：	1.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-268AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	180 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	28 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFT7N90Q 数据手册

Advanced Technical Information

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Q-Class

IXFH 7N90Q

IXFT 7N90Q

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

= 900 V

7 A

= 1.5 W

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, Low Q_g, High dv/dt

t_rr£ 250 ns

TO-247 AD (IXFH)

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

900

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

V_GSM

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

TO-268 (D3) ( IXFT)

E_AR

T_C= 25°C

700

E_AS

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

(TAB)

P_D

T_C= 25°C

180

G = Gate

= Drain

S = Source

TAB = Drain

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

Mountingtorque

300

°C

M_d

1.13/10

Nm/lb.in.

Features

Weight

TO-247

TO-268

• IXYS advanced low Q_gprocess

• Low gate charge and capacitances

- easier to drive

- faster switching

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

• Internationalstandardpackages

• Low R_{DS (on)}

min.

typ.

max.

• UnclampedInductiveSwitching(UIS)

rated

• MoldingepoxiesmeetUL94V-0

flammabilityclassification

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 1 mA

V_DS= V_GS, I_D= 2.5 mA

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

900

3.0

5.0

±100

Advantages

I_DSS

V_DS= 0.8 V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

• Easy to mount

• Space savings

• Highpowerdensity

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %

1.5

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98645(8/99)

1 - 2

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